Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G
;
MMBTH10-4LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBTH10-4LT1G при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTH10-4LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера: 25В
    • Номинальная частота: 800МГц
    • Тип: NPN
    • Количество пинов: 3 (SOT23-3)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к высоким частотам
    • Компактный размер корпуса
    • Доступность и широкое распространение
  • Минусы:
    • Могут быть ограничены по мощности при использовании на высоких частотах
    • Требуют точного управления напряжением для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) системах
    • Работа с сигналами высокой частоты
    • Применение в мобильных устройствах и радиостанциях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTH10-4LT1G

Техническая документация

MMBTH10-4LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 16522 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.5 ₽
  • 25
    9.4 ₽
  • 250
    7.1 ₽
  • 1000
    6.3 ₽
  • 6000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBTH10-4LT1G при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTH10-4LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера: 25В
    • Номинальная частота: 800МГц
    • Тип: NPN
    • Количество пинов: 3 (SOT23-3)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к высоким частотам
    • Компактный размер корпуса
    • Доступность и широкое распространение
  • Минусы:
    • Могут быть ограничены по мощности при использовании на высоких частотах
    • Требуют точного управления напряжением для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) системах
    • Работа с сигналами высокой частоты
    • Применение в мобильных устройствах и радиостанциях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTH10-4LT1G

Техническая документация

MMBTH10-4LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории