Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBTH34

MMBTH34

MMBTH34
;
MMBTH34

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor Corp
  • Артикул:
    MMBTH34
  • Описание:
    Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена MMBTH34 при покупке от 116 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTH34 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTH34

MMBTH34 Fairchild Semiconductor Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Номинальная частота применения: до 1 GHz
    • Максимальное напряжение между эмиттером и коллектиром (VCEO): 20 В
    • Максимальное напряжение между базой и эмиттером (VBE): 7 В
    • Номинальная мощность (PDM): 250 мВт
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность к сигналам
    • Устойчивость к помехам
    • Надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Малый размер и легкость интеграции в микросхемы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и сборке для предотвращения перегрева
    • Работа может быть непредсказуемой при высоких уровнях мощности
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от импульсных воздействий
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передатчиках
    • В качестве усилителей сигнала в системах связи
    • Для усиления слабых сигналов в радиочастотном диапазоне
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Системы мобильной связи
    • Датчики и системы управления
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTH34

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Трансформация частоты
    500MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    15 @ 20mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBTH34
  • 3000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 116 шт
  • Количество
    Цена
  • 116
    40 ₽
  • 232
    26.7 ₽
  • 2779
    17.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor Corp
  • Артикул:
    MMBTH34
  • Описание:
    Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена MMBTH34 при покупке от 116 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTH34 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTH34

MMBTH34 Fairchild Semiconductor Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Номинальная частота применения: до 1 GHz
    • Максимальное напряжение между эмиттером и коллектиром (VCEO): 20 В
    • Максимальное напряжение между базой и эмиттером (VBE): 7 В
    • Номинальная мощность (PDM): 250 мВт
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность к сигналам
    • Устойчивость к помехам
    • Надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Малый размер и легкость интеграции в микросхемы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и сборке для предотвращения перегрева
    • Работа может быть непредсказуемой при высоких уровнях мощности
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от импульсных воздействий
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передатчиках
    • В качестве усилителей сигнала в системах связи
    • Для усиления слабых сигналов в радиочастотном диапазоне
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Системы мобильной связи
    • Датчики и системы управления
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTH34

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Трансформация частоты
    500MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    15 @ 20mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBTH34

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 116 шт