Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MMJT350T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMJT350T1G

MMJT350T1G

MMJT350T1G
;
MMJT350T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMJT350T1G
  • Описание:
    TRANS PNP 300V 0.5A SOT223Все характеристики

Минимальная цена MMJT350T1G при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMJT350T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMJT350T1G

MMJT350T1G onsemi TRANS PNP 300V 0.5A SOT223

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Рабочее напряжение: 300 В
    • Рабочный ток: 0.5 А
    • Пакет: SOT223
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность благодаря SOT223 пакету
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию
    • Не подходит для всех типов схем
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Передатчики сигнала
    • Устройства управления мощностью
    • Системы защиты от перегрузки
Выбрано: Показать

Характеристики MMJT350T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    650 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-223 (TO-261)
  • Base Product Number
    MMJT350

Техническая документация

 MMJT350T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 25 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    230 ₽
  • 10
    139 ₽
  • 500
    72 ₽
  • 2000
    57 ₽
  • 10000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMJT350T1G
  • Описание:
    TRANS PNP 300V 0.5A SOT223Все характеристики

Минимальная цена MMJT350T1G при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMJT350T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMJT350T1G

MMJT350T1G onsemi TRANS PNP 300V 0.5A SOT223

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Рабочее напряжение: 300 В
    • Рабочный ток: 0.5 А
    • Пакет: SOT223
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность благодаря SOT223 пакету
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию
    • Не подходит для всех типов схем
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Передатчики сигнала
    • Устройства управления мощностью
    • Системы защиты от перегрузки
Выбрано: Показать

Характеристики MMJT350T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    650 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-223 (TO-261)
  • Base Product Number
    MMJT350

Техническая документация

 MMJT350T1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJE180STUTRANS NPN 40V 3A TO126-3
    228Кешбэк 34 балла
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    KSE13003H1ASTUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD148T4GTRANS NPN 45V 4A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    BD13516SТранзистор: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD44H11-1GTRANS NPN 80V 8A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    FSB619TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    238Кешбэк 35 баллов
    BD787GTRANS NPN 60V 4A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    BD135GTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    2SC3649S-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    238Кешбэк 35 баллов
    2SA2126-TL-ETRANS PNP 50V 3A TP-FA
    238Кешбэк 35 баллов
    KSD882YSTUТранзистор: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
    239Кешбэк 35 баллов
    MJD41CT4GТранзистор: TRANS NPN 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    BD135TGTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    240Кешбэк 36 баллов
    MJE182GТранзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126
    241Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NSV1C301ET4GTRANS NPN 100V 3A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    BD17510STUTRANS NPN 45V 3A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP110GTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
    244Кешбэк 36 баллов
    FJE3303H1TUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP50GTRANS NPN 400V 1A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    2N6488GTRANS NPN 80V 15A TO220
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП