Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
MMSZ11T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMSZ11T1G

MMSZ11T1G

MMSZ11T1G
;
MMSZ11T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMSZ11T1G
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена MMSZ11T1G при покупке от 1 шт 17.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMSZ11T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMSZ11T1G

MMSZ11T1G ON SEMICONDUCTOR Диод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенера: 11В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при различных температурных условиях
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер (форм-фактор SOD123)
  • Минусы:
    • Меньше подходят для высокоточных приложений из-за нелинейности характеристики
    • Не предназначены для передачи больших мощностей
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от обратного напряжения
    • Снижение уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Мобильные телефоны
    • Автомобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMSZ11T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    11 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    MMSZ11

Техническая документация

 MMSZ11T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 846 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    17.4 ₽
  • 10
    12.6 ₽
  • 50
    7.6 ₽
  • 500
    5.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMSZ11T1G
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена MMSZ11T1G при покупке от 1 шт 17.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMSZ11T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMSZ11T1G

MMSZ11T1G ON SEMICONDUCTOR Диод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенера: 11В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при различных температурных условиях
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер (форм-фактор SOD123)
  • Минусы:
    • Меньше подходят для высокоточных приложений из-за нелинейности характеристики
    • Не предназначены для передачи больших мощностей
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от обратного напряжения
    • Снижение уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Мобильные телефоны
    • Автомобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMSZ11T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    11 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    MMSZ11

Техническая документация

 MMSZ11T1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZX84C33-G3-08DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C16-G3-08DIODE ZENER 16V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C4V3-G3-08DIODE ZENER 4.3V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C27-G3-08DIODE ZENER 27V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    TZS4713-GS08Диод: DIODE ZENER 30V 500MW SOD80
    51Кешбэк 7 баллов
    BZT52C24-G3-08DIODE ZENER 24V 410MW SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C4V7-G3-08DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C22-G3-08Диод: DIODE ZENER 22V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    TZMB13-GS18Диод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD80
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C24-G3-08DIODE ZENER 24V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX384C13-G3-08Диод: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84B47-G3-18DIODE ZENER 47V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZT55C6V8-GS18DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD80
    51Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5253B-E3-08DIODE ZENER 25V 500MW SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BZT55C3V3-GS18Диод: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD80
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C10-G3-18Диод: DIODE ZENER 10V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C2V4-G3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C20-G3-08Диод: DIODE ZENER 20V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    SML4742-E3/5AДиод: DIODE ZENER 12V 1W DO214AC
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C5V6-G3-08Диод: DIODE ZENER 5.6V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX84C8V2-G3-18Диод: DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BZX384B6V2-HE3-08Диод: DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    BZX384B43-E3-08DIODE ZENER 43V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    GDZ11B-E3-08DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    GDZ2V2B-E3-08DIODE ZENER 2.2V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    GDZ5V1B-HE3-08Диод: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    GDZ22B-E3-08DIODE ZENER 22V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    GDZ6V8B-E3-08DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    GDZ24B-E3-08DIODE ZENER 24V 200MW SOD323
    53Кешбэк 7 баллов
    BZG03C240-M3-08Диод: DIODE ZENER 240V 1.25W DO214AC
    53Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП