Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF134
MRF134

MRF134

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF134
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07Все характеристики

Минимальная цена MRF134 при покупке от 1 шт 7914.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF134 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF134

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    400MHz
  • Усиление
    10.6dB ~ 14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    900mA
  • Уровень шума
    2dB
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-07
  • Исполнение корпуса
    211-07, Style 2
Техническая документация
 MRF134.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 246 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 914 ₽
  • 10
    6 875 ₽
  • 100
    6 013 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF134
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07Все характеристики

Минимальная цена MRF134 при покупке от 1 шт 7914.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF134 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF134

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    400MHz
  • Усиление
    10.6dB ~ 14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    900mA
  • Уровень шума
    2dB
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-07
  • Исполнение корпуса
    211-07, Style 2
Техническая документация
 MRF134.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    56 706Кешбэк 8 505 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    14 481Кешбэк 2 172 балла
    STAC2943Транзистор
    16 207Кешбэк 2 431 балл
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 687Кешбэк 553 балла
    MRF275GТранзистор: FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04
    60 642Кешбэк 9 096 баллов
    CGH40006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
    9 532Кешбэк 1 429 баллов
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    CGHV14250FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440162
    112 078Кешбэк 16 811 баллов
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 118Кешбэк 167 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    81 309Кешбэк 12 196 баллов
    MRF166CТранзистор: FET RF 65V 500MHZ 319-07
    14 106Кешбэк 2 115 баллов
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    70 770Кешбэк 10 615 баллов
    MWT-773Транзистор: FET RF 5V 26GHZ PKG 73
    10 873Кешбэк 1 630 баллов
    BLF882UТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A
    31 127Кешбэк 4 669 баллов
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    102 876Кешбэк 15 431 балл
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    31 633Кешбэк 4 744 балла
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    4 287Кешбэк 643 балла
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    117Кешбэк 17 баллов
    BLF573,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    33 743Кешбэк 5 061 балл
    ARF461AGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    11 169Кешбэк 1 675 баллов
    BLF2425M8LS140UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    22 976Кешбэк 3 446 баллов
    BLS8G2731LS-400PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
    148 037Кешбэк 22 205 баллов
    BLF6G27LS-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502B
    16 112Кешбэк 2 416 баллов
    BLL6G1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A
    61 536Кешбэк 9 230 баллов
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    38 417Кешбэк 5 762 балла
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    25 507Кешбэк 3 826 баллов
    PD57070-EТранзистор
    11 571Кешбэк 1 735 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    111 254Кешбэк 16 688 баллов
    BLF879PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    35 327Кешбэк 5 299 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП