Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF137
  • В избранное
  • В сравнение
MRF137

MRF137

MRF137
;
MRF137

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF137
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07Все характеристики

Минимальная цена MRF137 при покупке от 1 шт 13450.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF137 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF137

MRF137 MACOM Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07

  • Основные параметры:
    • Тип: FET RF (свободно-пограничный транзистор радиочастотного диапазона)
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Частота: 400МГц
    • Обозначение: 211-07
  • Плюсы:
    • Высокая надежность работы при высоких частотах
    • Устойчивость к помехам
    • Эффективная передача сигнала
    • Малый размер и легкость интеграции в разработки
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь и передача данных на радиочастотах
    • Радиоэлектроника
    • Системы спутниковой связи
    • Телевизионные приемники и передатчики
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Передатчики для мобильной связи
    • Спутниковая связь
    • Беспроводные системы управления
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRF137

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    150MHz ~ 400MHz
  • Усиление
    7.7dB ~ 16dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    5A
  • Уровень шума
    1.5dB
  • Тестовый ток
    25 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-07
  • Исполнение корпуса
    211-07, Style 2

Техническая документация

 MRF137.pdf
pdf. 0 kb
  • 251 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 450 ₽
  • 10
    10 995 ₽
  • 100
    10 793 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF137
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07Все характеристики

Минимальная цена MRF137 при покупке от 1 шт 13450.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF137 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF137

MRF137 MACOM Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07

  • Основные параметры:
    • Тип: FET RF (свободно-пограничный транзистор радиочастотного диапазона)
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Частота: 400МГц
    • Обозначение: 211-07
  • Плюсы:
    • Высокая надежность работы при высоких частотах
    • Устойчивость к помехам
    • Эффективная передача сигнала
    • Малый размер и легкость интеграции в разработки
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь и передача данных на радиочастотах
    • Радиоэлектроника
    • Системы спутниковой связи
    • Телевизионные приемники и передатчики
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Передатчики для мобильной связи
    • Спутниковая связь
    • Беспроводные системы управления
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRF137

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    150MHz ~ 400MHz
  • Усиление
    7.7dB ~ 16dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    5A
  • Уровень шума
    1.5dB
  • Тестовый ток
    25 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-07
  • Исполнение корпуса
    211-07, Style 2

Техническая документация

 MRF137.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    17 418Кешбэк 2 612 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    18 244Кешбэк 2 736 баллов
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G09LS-400PWUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    18 482Кешбэк 2 772 балла
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    18 575Кешбэк 2 786 баллов
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    19 174Кешбэк 2 876 баллов
    BLF6G10LS-200RN:11RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    19 535Кешбэк 2 930 баллов
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    19 863Кешбэк 2 979 баллов
    BLF6G20LS-110,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    20 377Кешбэк 3 056 баллов
    BLF6G20LS-110,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    20 377Кешбэк 3 056 баллов
    BLF6G27LS-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502B
    20 700Кешбэк 3 105 баллов
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    21 034Кешбэк 3 155 баллов
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    21 416Кешбэк 3 212 баллов
    BLF8G10LS-300PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    21 647Кешбэк 3 247 баллов
    BLF8G10LS-300PJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    21 647Кешбэк 3 247 баллов
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    21 722Кешбэк 3 258 баллов
    BLF6G10LS-135R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
    21 811Кешбэк 3 271 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП