Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF137
  • В избранное
  • В сравнение
MRF137

MRF137

MRF137
;
MRF137

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF137
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07Все характеристики

Минимальная цена MRF137 при покупке от 1 шт 12030.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF137 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF137

MRF137 MACOM Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07

  • Основные параметры:
    • Тип: FET RF (свободно-пограничный транзистор радиочастотного диапазона)
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Частота: 400МГц
    • Обозначение: 211-07
  • Плюсы:
    • Высокая надежность работы при высоких частотах
    • Устойчивость к помехам
    • Эффективная передача сигнала
    • Малый размер и легкость интеграции в разработки
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь и передача данных на радиочастотах
    • Радиоэлектроника
    • Системы спутниковой связи
    • Телевизионные приемники и передатчики
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Передатчики для мобильной связи
    • Спутниковая связь
    • Беспроводные системы управления
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRF137

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    150MHz ~ 400MHz
  • Усиление
    7.7dB ~ 16dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    5A
  • Уровень шума
    1.5dB
  • Тестовый ток
    25 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-07
  • Исполнение корпуса
    211-07, Style 2

Техническая документация

 MRF137.pdf
pdf. 0 kb
  • 279 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 030 ₽
  • 10
    9 606 ₽
  • 100
    8 874 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF137
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07Все характеристики

Минимальная цена MRF137 при покупке от 1 шт 12030.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF137 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF137

MRF137 MACOM Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07

  • Основные параметры:
    • Тип: FET RF (свободно-пограничный транзистор радиочастотного диапазона)
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Частота: 400МГц
    • Обозначение: 211-07
  • Плюсы:
    • Высокая надежность работы при высоких частотах
    • Устойчивость к помехам
    • Эффективная передача сигнала
    • Малый размер и легкость интеграции в разработки
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь и передача данных на радиочастотах
    • Радиоэлектроника
    • Системы спутниковой связи
    • Телевизионные приемники и передатчики
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Передатчики для мобильной связи
    • Спутниковая связь
    • Беспроводные системы управления
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRF137

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    150MHz ~ 400MHz
  • Усиление
    7.7dB ~ 16dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    5A
  • Уровень шума
    1.5dB
  • Тестовый ток
    25 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-07
  • Исполнение корпуса
    211-07, Style 2

Техническая документация

 MRF137.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 578Кешбэк 8 186 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    80 449Кешбэк 12 067 баллов
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    58 833Кешбэк 8 824 балла
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 520Кешбэк 1 428 баллов
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    5 860Кешбэк 879 баллов
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 090Кешбэк 163 балла
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    222Кешбэк 33 балла
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    177Кешбэк 26 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    17 708Кешбэк 2 656 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 283Кешбэк 2 142 балла
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    68 085Кешбэк 10 212 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    55 566Кешбэк 8 334 балла
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    108 492Кешбэк 16 273 балла
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    64 355Кешбэк 9 653 балла
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 535Кешбэк 3 380 баллов
    CGH40180PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    174 254Кешбэк 26 138 баллов
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    96 731Кешбэк 14 509 баллов
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    424 863Кешбэк 63 729 баллов
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    12 480Кешбэк 1 872 балла
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    590Кешбэк 88 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    2 734Кешбэк 410 баллов
    MWT-773Транзистор: FET RF 5V 26GHZ PKG 73
    10 601Кешбэк 1 590 баллов
    MMBFJ211Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    121Кешбэк 18 баллов
    MRF158Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 305A-01
    9 474Кешбэк 1 421 балл
    MRF137Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    12 030Кешбэк 1 804 балла
    MRF134Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    10 443Кешбэк 1 566 баллов
    MRF151AТранзистор: FET RF N-CH 50V 150W P-244
    31 745Кешбэк 4 761 балл
    MRF177Транзистор: FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01
    30 763Кешбэк 4 614 баллов
    MRF140Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    28 144Кешбэк 4 221 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП