Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF158
  • В избранное
  • В сравнение
MRF158

MRF158

MRF158
;
MRF158

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF158
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 305A-01Все характеристики

Минимальная цена MRF158 при покупке от 1 шт 10771.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF158 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF158

MRF158 MACOM Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 305A-01

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 65В
    • Частота: 500МГц
    • Питание: 305А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к высоким частотам
    • Надежность при работе в радиосистемах
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за мощности
    • Сложность в проектировании схемы питания
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах
    • Телевизионных передающих аппаратах
    • Системах связи
  • Применение:
    • Беспроводные устройства
    • Телевизионное вещательное оборудование
    • Системы мобильной связи
Выбрано: Показать

Характеристики MRF158

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    500MHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    500mA
  • Тестовый ток
    25 mA
  • Мощность передачи
    2W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    305A-01
  • Исполнение корпуса
    305A-01, Style 2

Техническая документация

 MRF158.pdf
pdf. 0 kb
  • 559 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    10 771 ₽
  • 10
    8 473 ₽
  • 100
    7 911 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF158
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 305A-01Все характеристики

Минимальная цена MRF158 при покупке от 1 шт 10771.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF158 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF158

MRF158 MACOM Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 305A-01

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 65В
    • Частота: 500МГц
    • Питание: 305А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к высоким частотам
    • Надежность при работе в радиосистемах
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за мощности
    • Сложность в проектировании схемы питания
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах
    • Телевизионных передающих аппаратах
    • Системах связи
  • Применение:
    • Беспроводные устройства
    • Телевизионное вещательное оборудование
    • Системы мобильной связи
Выбрано: Показать

Характеристики MRF158

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    500MHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    500mA
  • Тестовый ток
    25 mA
  • Мощность передачи
    2W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    305A-01
  • Исполнение корпуса
    305A-01, Style 2

Техническая документация

 MRF158.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    17 418Кешбэк 2 612 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    18 244Кешбэк 2 736 баллов
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G09LS-400PWUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    18 482Кешбэк 2 772 балла
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    18 575Кешбэк 2 786 баллов
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    19 174Кешбэк 2 876 баллов
    BLF6G10LS-200RN:11RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    19 535Кешбэк 2 930 баллов
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    19 863Кешбэк 2 979 баллов
    BLF6G20LS-110,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    20 377Кешбэк 3 056 баллов
    BLF6G20LS-110,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    20 377Кешбэк 3 056 баллов
    BLF6G27LS-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502B
    20 700Кешбэк 3 105 баллов
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    21 034Кешбэк 3 155 баллов
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    21 416Кешбэк 3 212 баллов
    BLF8G10LS-300PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    21 647Кешбэк 3 247 баллов
    BLF8G10LS-300PJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    21 647Кешбэк 3 247 баллов
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    21 722Кешбэк 3 258 баллов
    BLF6G10LS-135R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
    21 811Кешбэк 3 271 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП