Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF174
  • В избранное
  • В сравнение
MRF174

MRF174

MRF174
;
MRF174

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Advanced Semiconductor, Inc.
  • Артикул:
    MRF174
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11Все характеристики

Минимальная цена MRF174 при покупке от 1 шт 12574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF174 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF174

MRF174 Advanced Semiconductor, Inc. Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 65В
    • Частота рабочей области: до 150МГц
    • Идентификационный номер: 211-11
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода (trrhm и trrhs)
    • Высокое значение коэффициента усиления (Ku)
    • Устойчивость к воздействию внешних факторов
    • Надежность при работе в радиосвязи
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и изготовлению
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется точное подключение для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передатчиках
    • Спектрометрическое оборудование
    • Радиолокационная техника
    • Системы связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники высокой чувствительности
    • Передатчики для мобильной связи
    • Радиолокационные системы
    • Системы спутниковой связи
    • Профессиональное радиооборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MRF174

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    150MHz
  • Усиление
    11.8dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    13A
  • Уровень шума
    3dB
  • Тестовый ток
    2 A
  • Мощность передачи
    125W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-11, Style 2
  • Исполнение корпуса
    211-11, Style 2

Техническая документация

 MRF174.pdf
pdf. 0 kb
  • 65 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 574 ₽
  • 10
    11 394 ₽
  • 20
    11 001 ₽
  • 50
    10 607 ₽
  • 100
    10 214 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Advanced Semiconductor, Inc.
  • Артикул:
    MRF174
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11Все характеристики

Минимальная цена MRF174 при покупке от 1 шт 12574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF174 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF174

MRF174 Advanced Semiconductor, Inc. Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 65В
    • Частота рабочей области: до 150МГц
    • Идентификационный номер: 211-11
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода (trrhm и trrhs)
    • Высокое значение коэффициента усиления (Ku)
    • Устойчивость к воздействию внешних факторов
    • Надежность при работе в радиосвязи
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и изготовлению
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется точное подключение для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передатчиках
    • Спектрометрическое оборудование
    • Радиолокационная техника
    • Системы связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники высокой чувствительности
    • Передатчики для мобильной связи
    • Радиолокационные системы
    • Системы спутниковой связи
    • Профессиональное радиооборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MRF174

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    150MHz
  • Усиление
    11.8dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    13A
  • Уровень шума
    3dB
  • Тестовый ток
    2 A
  • Мощность передачи
    125W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    211-11, Style 2
  • Исполнение корпуса
    211-11, Style 2

Техническая документация

 MRF174.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    239 492Кешбэк 35 923 балла
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    155 981Кешбэк 23 397 баллов
    MRF8S9120NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
    16 746Кешбэк 2 511 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    66 737Кешбэк 10 010 баллов
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    BLD6G22L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    81 052Кешбэк 12 157 баллов
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    59 274Кешбэк 8 891 балл
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 574Кешбэк 1 436 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    204Кешбэк 30 баллов
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 099Кешбэк 164 балла
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    224Кешбэк 33 балла
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    178Кешбэк 26 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    17 841Кешбэк 2 676 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 390Кешбэк 2 158 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    68 595Кешбэк 10 289 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    55 982Кешбэк 8 397 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    109 305Кешбэк 16 395 баллов
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    64 838Кешбэк 9 725 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    CGH40180PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    175 560Кешбэк 26 334 балла
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    97 456Кешбэк 14 618 баллов
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    428 047Кешбэк 64 207 баллов
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    12 574Кешбэк 1 886 баллов
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    595Кешбэк 89 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    2 755Кешбэк 413 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП