Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF6S18060NR1
  • В избранное
  • В сравнение
MRF6S18060NR1

MRF6S18060NR1

MRF6S18060NR1
;
MRF6S18060NR1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF6S18060NR1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4Все характеристики

Минимальная цена MRF6S18060NR1 при покупке от 1 шт 14047.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF6S18060NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF6S18060NR1

MRF6S18060NR1 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 68V 1.99GHz TO270-4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 68 В
    • Максимальная частота (fT): 1.99 ГГц
    • Количество контактов: 4
    • Форм-фактор: TO270
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Высокое напряжение операции
    • Стабильность характеристик при высоких температурах
    • Эффективность в радиочастотных приложениях
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Стоимость может быть выше, чем у других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных устройствах
    • Радиостанции и системы связи
    • Телевизионные приемники
    • Радарные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы мобильной связи
    • Телекоммуникационное оборудование
    • Автомобильные системы навигации и радары
    • Профессиональное оборудование для телевидения и радио
Выбрано: Показать

Характеристики MRF6S18060NR1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.99GHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    26 V
  • Тестовый ток
    600 mA
  • Мощность передачи
    60W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    TO-270AB
  • Исполнение корпуса
    TO-270 WB-4
  • Base Product Number
    MRF6

Техническая документация

 MRF6S18060NR1.pdf
pdf. 0 kb
  • 642 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    14 047 ₽
  • 5
    12 882 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF6S18060NR1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4Все характеристики

Минимальная цена MRF6S18060NR1 при покупке от 1 шт 14047.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF6S18060NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF6S18060NR1

MRF6S18060NR1 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 68V 1.99GHz TO270-4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 68 В
    • Максимальная частота (fT): 1.99 ГГц
    • Количество контактов: 4
    • Форм-фактор: TO270
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Высокое напряжение операции
    • Стабильность характеристик при высоких температурах
    • Эффективность в радиочастотных приложениях
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Стоимость может быть выше, чем у других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных устройствах
    • Радиостанции и системы связи
    • Телевизионные приемники
    • Радарные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы мобильной связи
    • Телекоммуникационное оборудование
    • Автомобильные системы навигации и радары
    • Профессиональное оборудование для телевидения и радио
Выбрано: Показать

Характеристики MRF6S18060NR1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.99GHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    26 V
  • Тестовый ток
    600 mA
  • Мощность передачи
    60W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    TO-270AB
  • Исполнение корпуса
    TO-270 WB-4
  • Base Product Number
    MRF6

Техническая документация

 MRF6S18060NR1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    28Кешбэк 4 балла
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    31.5Кешбэк 4 балла
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    MMBF5486Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    MMBFJ309Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    89Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    100Кешбэк 15 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    102Кешбэк 15 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 201Кешбэк 180 баллов
    BLP35M805ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
    2 990Кешбэк 448 баллов
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 431Кешбэк 514 баллов
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    5 219Кешбэк 782 балла
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    6 551Кешбэк 982 балла
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 292Кешбэк 1 093 балла
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 318Кешбэк 1 097 баллов
    BLP05H635XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    7 629Кешбэк 1 144 балла
    BLC8G27LS-60AVYТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLC8G27LS-60AVZТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLM7G1822S-40PBGYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
    7 878Кешбэк 1 181 балл
    BLM7G1822S-40PBYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111
    7 878Кешбэк 1 181 балл
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 352Кешбэк 1 252 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП