MRF8S21100HSR3

MRF8S21100HSR3 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 65В 2,17ГГц NI780S

• Основные параметры:
• Тип: FET (полупроводниковый транзистор)
• Рабочая частота: до 2,17 ГГц
• Номинальное напряжение: 65 В
• Модель: NI780S
• Плюсы:
• Высокая рабочая частота для радиоэлектронных устройств
• Высокое напряжение операции
• Устойчивость к помехам
• Долговечность и надежность
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует специализированной обработки и установки
• Общее назначение:
• Используется в радиоприемниках и передающих устройствах
• Подходит для систем спутниковой связи
• Применяется в.radars (радарах)
• Входит в состав мобильных телефонов и других беспроводных устройств
• В каких устройствах применяется:
• Мобильные телефоны
• Спутниковые системы
• Автомобильные радары
• Беспроводные устройства и системы