Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1
;
MRFE6VP5150NR1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MRFE6VP5150NR1 при покупке от 500 шт 9574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFE6VP5150NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1 NXP Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на дрене-источнике (UDS): 50 В
    • Максимальная мощность (Ptot): 150 Вт
    • Максимальная частота (fT): до 1 ГГц
    • Тип корпуса: TO270
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокая частота
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
    • Эффективное управление мощностью
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Управление высокой мощностью в радиоэлектронных устройствах
    • Амплитудная и фазовая модуляция
    • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Беспроводные системы связи (Wi-Fi, Bluetooth)
    • Мобильные телефоны
    • Долголучевые системы передачи данных
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRFE6VP5150NR1

Техническая документация

MRFE6VP5150NR1.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 500 шт
  • Количество
    Цена
  • 500
    9 574 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MRFE6VP5150NR1 при покупке от 500 шт 9574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFE6VP5150NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1 NXP Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на дрене-источнике (UDS): 50 В
    • Максимальная мощность (Ptot): 150 Вт
    • Максимальная частота (fT): до 1 ГГц
    • Тип корпуса: TO270
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокая частота
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
    • Эффективное управление мощностью
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Управление высокой мощностью в радиоэлектронных устройствах
    • Амплитудная и фазовая модуляция
    • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Беспроводные системы связи (Wi-Fi, Bluetooth)
    • Мобильные телефоны
    • Долголучевые системы передачи данных
    • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MRFE6VP5150NR1

Техническая документация

MRFE6VP5150NR1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 500 шт