Вход/Регистрация
MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
MRFE6VP5150NR1
MRFE6VP5150NR1
- Производитель:NXP
- Артикул:MRFE6VP5150NR1
- Описание:Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270Все характеристики
Минимальная цена MRFE6VP5150NR1 при покупке от 1 шт 16516.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFE6VP5150NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 10 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 116 516 ₽
- 514 990 ₽
- 1013 273 ₽
- 5012 235 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:NXP
- Артикул:MRFE6VP5150NR1
- Описание:Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270Все характеристики
Минимальная цена MRFE6VP5150NR1 при покупке от 1 шт 16516.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRFE6VP5150NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание MRFE6VP5150NR1
MRFE6VP5150NR1 NXP Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение на дрене-источнике (UDS): 50 В
- Максимальная мощность (Ptot): 150 Вт
- Максимальная частота (fT): до 1 ГГц
- Тип корпуса: TO270
- Плюсы:
- Высокая мощность
- Высокая частота
- Устойчивость к импульсным нагрузкам
- Эффективное управление мощностью
- Минусы:
- Высокие требования к охлаждению
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Общее назначение:
- Управление высокой мощностью в радиоэлектронных устройствах
- Амплитудная и фазовая модуляция
- Работа в условиях высоких температур
- В каких устройствах применяется:
- Спутниковые системы связи
- Беспроводные системы связи (Wi-Fi, Bluetooth)
- Мобильные телефоны
- Долголучевые системы передачи данных
- Радарные системы
Выбрано: Показать
Характеристики MRFE6VP5150NR1
Техническая документация
MRFE6VP5150NR1.pdf pdf. 0 kb