Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
MSC040SMA120B4
  • В избранное
  • В сравнение
MSC040SMA120B4

MSC040SMA120B4

MSC040SMA120B4
;
MSC040SMA120B4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    MSC040SMA120B4
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена MSC040SMA120B4 при покупке от 1 шт 3040.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC040SMA120B4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC040SMA120B4

Микросхема MSC040SMA120B4 от компании Microchip Technology

  • Тип: SICFET N-канальный полупроводниковый транзистор
  • Номинальное напряжение: 1200 В
  • Номинальный ток: 66 А
  • Пакет: TO247-4

Основные параметры:

  • Рабочая температура: от -55°C до +150°C
  • Эффективное сопротивление: ≤ 0,1 Ω при токе 66 A
  • Частота работы: до 50 кГц
  • Энергетический потенциал: ≤ 35 мДж

Плюсы:

  • Высокое напряжение срабатывания
  • Низкое сопротивление
  • Высокая мощность
  • Высокая частота работы
  • Энергоэффективность
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требуют специфического проектирования для оптимальной работы

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных системах
  • Применение в промышленном оборудовании
  • Работа в источниках питания
  • Автомобильная электроника
  • Электрические машины

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные инверторы
  • Системы управления двигателей
  • Источники питания для серверов и компьютеров
  • Промышленные преобразователи
  • Системы управления энергоснабжением
Выбрано: Показать

Характеристики MSC040SMA120B4

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 40A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    137 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +23V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1990 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    323W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    MSC040

Техническая документация

 MSC040SMA120B4.pdf
pdf. 0 kb
  • 30 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 040 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    MSC040SMA120B4
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена MSC040SMA120B4 при покупке от 1 шт 3040.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC040SMA120B4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC040SMA120B4

Микросхема MSC040SMA120B4 от компании Microchip Technology

  • Тип: SICFET N-канальный полупроводниковый транзистор
  • Номинальное напряжение: 1200 В
  • Номинальный ток: 66 А
  • Пакет: TO247-4

Основные параметры:

  • Рабочая температура: от -55°C до +150°C
  • Эффективное сопротивление: ≤ 0,1 Ω при токе 66 A
  • Частота работы: до 50 кГц
  • Энергетический потенциал: ≤ 35 мДж

Плюсы:

  • Высокое напряжение срабатывания
  • Низкое сопротивление
  • Высокая мощность
  • Высокая частота работы
  • Энергоэффективность
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требуют специфического проектирования для оптимальной работы

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных системах
  • Применение в промышленном оборудовании
  • Работа в источниках питания
  • Автомобильная электроника
  • Электрические машины

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные инверторы
  • Системы управления двигателей
  • Источники питания для серверов и компьютеров
  • Промышленные преобразователи
  • Системы управления энергоснабжением
Выбрано: Показать

Характеристики MSC040SMA120B4

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 40A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    137 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +23V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1990 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    323W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    MSC040

Техническая документация

 MSC040SMA120B4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE491TMOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237
    1 260Кешбэк 189 баллов
    NTE2371MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
    2 049Кешбэк 307 баллов
    MSC750SMA170STRANS SJT 1700V D3PAK
    1 158Кешбэк 173 балла
    MSC360SMA120SMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
    1 383Кешбэк 207 баллов
    MSC090SMA070SSICFET N-CH 700V D3PAK
    1 414Кешбэк 212 баллов
    MSC180SMA120SMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
    1 435Кешбэк 215 баллов
    MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247
    1 974Кешбэк 296 баллов
    MSC035SMA070BMOSFET N-CH 700V TO247
    1 992Кешбэк 298 баллов
    APT6025BLLGMOSFET N-CH 600V 24A TO247
    2 867Кешбэк 430 баллов
    MSC040SMA120B4SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
    3 040Кешбэк 456 баллов
    MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
    7 609Кешбэк 1 141 балл
    PJC7400_R1_00001SOT-323, MOSFET
    22.8Кешбэк 3 балла
    PJC7407_R1_00001SOT-323, MOSFET
    24.3Кешбэк 3 балла
    PJA3402_R1_00001SOT-23, MOSFET
    25.4Кешбэк 3 балла
    PJE8408_R1_00001SOT-523, MOSFET
    27Кешбэк 4 балла
    PJC7404_R1_00001SOT-323, MOSFET
    29Кешбэк 4 балла
    PJA3433_R1_00001SOT-23, MOSFET
    32.4Кешбэк 4 балла
    BSS123_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    PJA3463_R1_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PJA138K-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET N-CHANNEL
    40Кешбэк 6 баллов
    PJA3441-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJA3434_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJC7439-AU_R1_000A1SOT-323, MOSFET
    45Кешбэк 6 баллов
    PJE8403_R1_00001SOT-523, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3430_R1_00001SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3432-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3433-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3403_R1_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    53Кешбэк 7 баллов
    PJA3460_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    PJA3401A_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП