Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
MSC180SMA120B
  • В избранное
  • В сравнение
MSC180SMA120B

MSC180SMA120B

MSC180SMA120B
;
MSC180SMA120B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    MSC180SMA120B
  • Описание:
    MOSFET 1200V 25A TO-247

Минимальная цена MSC180SMA120B при покупке от 1 шт 1974.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC180SMA120B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC180SMA120B

Маркировка MSC180SMA120B:

  • Производитель: Microchip Technology
  • Тип: MOSFET
  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Размер токопроводности: 25А
  • Оболочка: TO-247

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В обеспечивает высокую устойчивость к обратному напряжению.
  • Размер токопроводности (IDSS): 25А указывает на способность устройства пропускать значительный ток без перегрева.
  • Оболочка TO-247: позволяет эффективно отводить тепло от MOSFET.

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря прочной конструкции.
  • Эффективное управление током и напряжением.
  • Низкое сопротивление при токе.

Минусы:

  • Высокие требования к системе охлаждения из-за потребности отводить значительное количество тепла.
  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями в различных приложениях.
  • Использование в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах двигателей.

Применение в устройствах:

  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Источниках питания для компьютеров и серверов.
  • Преобразователях энергии для солнечных панелей.
  • Драйверах двигателей для промышленного оборудования.

Техническая документация

 MSC180SMA120B.pdf
pdf. 0 kb
  • 36 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 974 ₽
  • 3
    1 750 ₽
  • 10
    1 571 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    MSC180SMA120B
  • Описание:
    MOSFET 1200V 25A TO-247

Минимальная цена MSC180SMA120B при покупке от 1 шт 1974.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC180SMA120B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC180SMA120B

Маркировка MSC180SMA120B:

  • Производитель: Microchip Technology
  • Тип: MOSFET
  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Размер токопроводности: 25А
  • Оболочка: TO-247

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В обеспечивает высокую устойчивость к обратному напряжению.
  • Размер токопроводности (IDSS): 25А указывает на способность устройства пропускать значительный ток без перегрева.
  • Оболочка TO-247: позволяет эффективно отводить тепло от MOSFET.

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря прочной конструкции.
  • Эффективное управление током и напряжением.
  • Низкое сопротивление при токе.

Минусы:

  • Высокие требования к системе охлаждения из-за потребности отводить значительное количество тепла.
  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями в различных приложениях.
  • Использование в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах двигателей.

Применение в устройствах:

  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Источниках питания для компьютеров и серверов.
  • Преобразователях энергии для солнечных панелей.
  • Драйверах двигателей для промышленного оборудования.

Техническая документация

 MSC180SMA120B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE491TMOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237
    1 260Кешбэк 189 баллов
    NTE2371MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
    2 049Кешбэк 307 баллов
    MSC750SMA170STRANS SJT 1700V D3PAK
    1 158Кешбэк 173 балла
    MSC360SMA120SMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
    1 383Кешбэк 207 баллов
    MSC090SMA070SSICFET N-CH 700V D3PAK
    1 414Кешбэк 212 баллов
    MSC180SMA120SMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
    1 435Кешбэк 215 баллов
    MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247
    1 974Кешбэк 296 баллов
    MSC035SMA070BMOSFET N-CH 700V TO247
    1 992Кешбэк 298 баллов
    APT6025BLLGMOSFET N-CH 600V 24A TO247
    2 867Кешбэк 430 баллов
    MSC040SMA120B4SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
    3 040Кешбэк 456 баллов
    MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
    7 609Кешбэк 1 141 балл
    PJC7400_R1_00001SOT-323, MOSFET
    22.8Кешбэк 3 балла
    PJC7407_R1_00001SOT-323, MOSFET
    24.3Кешбэк 3 балла
    PJA3402_R1_00001SOT-23, MOSFET
    25.4Кешбэк 3 балла
    PJE8408_R1_00001SOT-523, MOSFET
    27Кешбэк 4 балла
    PJC7404_R1_00001SOT-323, MOSFET
    29Кешбэк 4 балла
    PJA3433_R1_00001SOT-23, MOSFET
    32.4Кешбэк 4 балла
    BSS123_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    PJA3463_R1_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PJA138K-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET N-CHANNEL
    40Кешбэк 6 баллов
    PJA3441-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJA3434_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJC7439-AU_R1_000A1SOT-323, MOSFET
    45Кешбэк 6 баллов
    PJE8403_R1_00001SOT-523, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3430_R1_00001SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3432-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3433-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3403_R1_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    53Кешбэк 7 баллов
    PJA3460_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    PJA3401A_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП