Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
MSC360SMA120S
  • В избранное
  • В сравнение
MSC360SMA120S

MSC360SMA120S

MSC360SMA120S
;
MSC360SMA120S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    MSC360SMA120S
  • Описание:
    MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26Все характеристики

Минимальная цена MSC360SMA120S при покупке от 1 шт 1383.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC360SMA120S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC360SMA120S

MSC360SMA120S Microchip Technology MOSFET SIC

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
  • Сопротивление при прохождении тока (RDS(on)): 360 мОм
  • Коллектор-эмиттер: TO-26

Основные параметры:

  • Материал: SiC (сапфир)
  • Тип: MOSFET (MOS)
  • Номинальный ток: до 45 А (в зависимости от тепловыделения)

Плюсы:

  • Высокое сопротивление при прохождении тока (низкий RDS(on)) обеспечивает низкую потери энергии.
  • Высокое номинальное напряжение (1200 В) делает его подходящим для высоковольтных приложений.
  • Материал SiC позволяет работать при более высоких температурах и частотах.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами.
  • Требуются специфические требования к проектированию и термальному дизайну.

Общее назначение:

  • Используется в высоковольтных и высокочастотных приложениях, где важны низкие потери энергии и высокие температуры работы.

Применяется в:

  • Автомобильной индустрии (например, системы управления двигателем, зарядные устройства)
  • Возобновляемых источниках энергии (инверторы, преобразователи)
  • Электронных устройствах высокой мощности (например, промышленное оборудование)
Выбрано: Показать

Характеристики MSC360SMA120S

  • Base Product Number
    MSC360

Техническая документация

 MSC360SMA120S.pdf
pdf. 0 kb
  • 67 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 383 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    MSC360SMA120S
  • Описание:
    MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26Все характеристики

Минимальная цена MSC360SMA120S при покупке от 1 шт 1383.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC360SMA120S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC360SMA120S

MSC360SMA120S Microchip Technology MOSFET SIC

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
  • Сопротивление при прохождении тока (RDS(on)): 360 мОм
  • Коллектор-эмиттер: TO-26

Основные параметры:

  • Материал: SiC (сапфир)
  • Тип: MOSFET (MOS)
  • Номинальный ток: до 45 А (в зависимости от тепловыделения)

Плюсы:

  • Высокое сопротивление при прохождении тока (низкий RDS(on)) обеспечивает низкую потери энергии.
  • Высокое номинальное напряжение (1200 В) делает его подходящим для высоковольтных приложений.
  • Материал SiC позволяет работать при более высоких температурах и частотах.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами.
  • Требуются специфические требования к проектированию и термальному дизайну.

Общее назначение:

  • Используется в высоковольтных и высокочастотных приложениях, где важны низкие потери энергии и высокие температуры работы.

Применяется в:

  • Автомобильной индустрии (например, системы управления двигателем, зарядные устройства)
  • Возобновляемых источниках энергии (инверторы, преобразователи)
  • Электронных устройствах высокой мощности (например, промышленное оборудование)
Выбрано: Показать

Характеристики MSC360SMA120S

  • Base Product Number
    MSC360

Техническая документация

 MSC360SMA120S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE491TMOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237
    1 260Кешбэк 189 баллов
    NTE2371MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
    2 049Кешбэк 307 баллов
    MSC750SMA170STRANS SJT 1700V D3PAK
    1 158Кешбэк 173 балла
    MSC360SMA120SMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
    1 383Кешбэк 207 баллов
    MSC090SMA070SSICFET N-CH 700V D3PAK
    1 414Кешбэк 212 баллов
    MSC180SMA120SMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
    1 435Кешбэк 215 баллов
    MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247
    1 974Кешбэк 296 баллов
    MSC035SMA070BMOSFET N-CH 700V TO247
    1 992Кешбэк 298 баллов
    APT6025BLLGMOSFET N-CH 600V 24A TO247
    2 867Кешбэк 430 баллов
    MSC040SMA120B4SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
    3 040Кешбэк 456 баллов
    MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
    7 609Кешбэк 1 141 балл
    PJC7400_R1_00001SOT-323, MOSFET
    22.8Кешбэк 3 балла
    PJC7407_R1_00001SOT-323, MOSFET
    24.3Кешбэк 3 балла
    PJA3402_R1_00001SOT-23, MOSFET
    25.4Кешбэк 3 балла
    PJE8408_R1_00001SOT-523, MOSFET
    27Кешбэк 4 балла
    PJC7404_R1_00001SOT-323, MOSFET
    29Кешбэк 4 балла
    PJA3433_R1_00001SOT-23, MOSFET
    32.4Кешбэк 4 балла
    BSS123_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    PJA3463_R1_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PJA138K-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET N-CHANNEL
    40Кешбэк 6 баллов
    PJA3441-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJA3434_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJC7439-AU_R1_000A1SOT-323, MOSFET
    45Кешбэк 6 баллов
    PJE8403_R1_00001SOT-523, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3430_R1_00001SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3432-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3433-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3403_R1_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    53Кешбэк 7 баллов
    PJA3460_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    PJA3401A_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП