Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MSD602-RT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MSD602-RT1G

MSD602-RT1G

MSD602-RT1G
;
MSD602-RT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MSD602-RT1G
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 0.5A SC59Все характеристики

Минимальная цена MSD602-RT1G при покупке от 1 шт 32.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSD602-RT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSD602-RT1G

MSD602-RT1G onsemi TRANS NPN 50V 0.5A SC59

  • Основные параметры:
    • Тип: транзистор NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0.5А
    • Пакет: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер пакета
    • Высокая скорость срабатывания
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность (0.5А)
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Контроль и управление нагрузками
    • Стабилизация напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Автоматические системы управления
    • Реле и контакторы
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MSD602-RT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 30mA, 300mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MSD602

Техническая документация

 MSD602-RT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 17754 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    32 ₽
  • 100
    12.3 ₽
  • 1000
    7.9 ₽
  • 6000
    5.8 ₽
  • 15000
    5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MSD602-RT1G
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 0.5A SC59Все характеристики

Минимальная цена MSD602-RT1G при покупке от 1 шт 32.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSD602-RT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSD602-RT1G

MSD602-RT1G onsemi TRANS NPN 50V 0.5A SC59

  • Основные параметры:
    • Тип: транзистор NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0.5А
    • Пакет: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер пакета
    • Высокая скорость срабатывания
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность (0.5А)
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Контроль и управление нагрузками
    • Стабилизация напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Автоматические системы управления
    • Реле и контакторы
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики MSD602-RT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 30mA, 300mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MSD602

Техническая документация

 MSD602-RT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMMBT3906LT1GТранзистор: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    MMBTA56LT1GTRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    MMBTA05LT3GTRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC327-025GTRANS PNP 45V 0.8A TO92
    30.4Кешбэк 4 балла
    SBC846BLT1GТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    MMBT5401LT3GТранзистор: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    SMMBT3906LT3GTRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    CPH6153-TL-ETRANS PNP 20V 3A 6CPH
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC807-40LT3GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    CPH3215-TL-HTRANS NPN 30V 1.5A 3CP
    30.4Кешбэк 4 балла
    MMBT3906LT1HТранзистор: TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    SMMBT4403LT1GTRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    SMMBT2907ALT3GТранзистор: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    SBC847AWT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    BCW68GLT3GTRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    NSVBC858CLT1GТранзистор: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC327-25RL1GTRANS PNP 45V 0.8A TO92
    30.4Кешбэк 4 балла
    SBC856BWT1GTRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    BD13916SТранзистор: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC817-25LT3GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    30.4Кешбэк 4 балла
    MMBT6427LT1GТранзистор: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
    32Кешбэк 4 балла
    CPH3114-TL-ETRANS PNP 15V 1.5A 3CPH
    32Кешбэк 4 балла
    CPH3249-TL-ETRANS NPN 350V 1A 3CPH
    32Кешбэк 4 балла
    2SC5658M3T5GTRANS NPN 50V 0.1A SOT723
    32Кешбэк 4 балла
    MMBT2907AM3T5GТранзистор: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
    32Кешбэк 4 балла
    NS2029M3T5GTRANS PNP 50V 0.1A SOT723
    32Кешбэк 4 балла
    MMBTA64LT3GTRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
    32Кешбэк 4 балла
    MSD602-RT1GTRANS NPN 50V 0.5A SC59
    32Кешбэк 4 балла
    BC858BWT1GTRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
    32Кешбэк 4 балла
    MMBT5551M3T5GTRANS NPN 160V 0.06A SOT723
    32Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП