MTB6N60ET4

Основные параметры:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальный ток стока (ID): 6 А
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 600 В
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1.2 Ом (при VGS=10V, ID=3A)
• Производитель: onsemi

Плюсы:

• Высокое напряжение пробоя (600 В) позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
• Достаточно низкое сопротивление открытого канала для данного класса напряжения, что снижает потери мощности.
• N-канальный тип удобен для многих схем управления.

Минусы:

• Сопротивление открытого канала 1.2 Ом может быть высоким для некоторых высокоэффективных приложений, приводя к заметному нагреву при больших токах.
• Ток 6 А может быть недостаточным для очень мощных инверторов или преобразователей.

Общее назначение:

• Ключевой элемент в импульсных источниках питания.
• Управление двигателями.
• Преобразователи напряжения.
• Усилители класса D.
• Электронные балласты для ламп.

В каких устройствах применяется:

• Блоки питания компьютеров и другой электроники.
• Светодиодные драйверы.
• Инверторы для солнечных панелей.
• Электронные регуляторы скорости для электродвигателей.
• Бытовая техника (например, в цепях управления микроволновых печей, стиральных машин).
• Промышленное оборудование.