Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MUN2212T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN2212T1G

MUN2212T1G

MUN2212T1G
;
MUN2212T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2212T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2212T1G при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2212T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2212T1G

MUN2212T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50В 100мА SC59

  • Основные параметры:
    • Напряжениеcollector-emitter (VCEO): 50В
    • Ток collector (IC): 100мА
    • Пакет: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер пакета для высокой мощности
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Максимальный ток collector ограничивается 100мА
    • Требует дополнительного предварительного тока для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах усилителей сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Работа в режиме усиления и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоусилители
    • Радиоприемники
    • Цифровые устройства управления
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2212T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    338 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2212

Техническая документация

 MUN2212T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9716 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29.6 ₽
  • 100
    11.5 ₽
  • 1000
    7.2 ₽
  • 9000
    5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN2212T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена MUN2212T1G при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN2212T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN2212T1G

MUN2212T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50В 100мА SC59

  • Основные параметры:
    • Напряжениеcollector-emitter (VCEO): 50В
    • Ток collector (IC): 100мА
    • Пакет: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер пакета для высокой мощности
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Максимальный ток collector ограничивается 100мА
    • Требует дополнительного предварительного тока для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах усилителей сигнала
    • Применение в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Работа в режиме усиления и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоусилители
    • Радиоприемники
    • Цифровые устройства управления
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики MUN2212T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    338 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    MUN2212

Техническая документация

 MUN2212T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RN1401,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    35Кешбэк 5 баллов
    RN1406,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    35Кешбэк 5 баллов
    RN2110ACT(TPL3)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
    13Кешбэк 1 балл
    RN2111ACT(TPL3)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
    13Кешбэк 1 балл
    RN2113ACT(TPL3)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
    13Кешбэк 1 балл
    RN2102,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN1104MFV,L3FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN2315TE85LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    48Кешбэк 7 баллов
    RN1301,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN2312(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2308(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    41Кешбэк 6 баллов
    RN2310,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN1103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2318(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2306,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    31.5Кешбэк 4 балла
    RN2314(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    43Кешбэк 6 баллов
    RN2317(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2303(TE85L,F)Транзистор
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA123TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.3Кешбэк 1 балл
    PDTC114YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC123YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC144EU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    31.5Кешбэк 4 балла
    PDTC123JU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    28Кешбэк 4 балла
    PDTC144VT,215Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
    28Кешбэк 4 балла
    PDTA123JU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTA114YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC143XU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTC144WT,215Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    22.2Кешбэк 3 балла
    PDTA115EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    56Кешбэк 8 баллов
    PDTA114EU,135Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
    26Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП