Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
MUN5111DW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G
;
MUN5111DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5111DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена MUN5111DW1T1G при покупке от 1 шт 45.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5111DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2ПНП (двойной пьезоэмиттерный непереключаемый пентод)
  • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером: 50В
  • Ток коллектора: до 1А
  • Сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе: ≤10кОм
  • Предел температуры работы: -40°C до +150°C
  • Плюсы:

    • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малое сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе
  • Низкий ток утечки
  • Минусы:

    • Высокий входной сопротивление может ограничить скорость работы
  • Требуется дополнительная схемотехника для предварительного усиления сигнала
  • Общее назначение:

    • Использование в предварительных усилителях
  • Применение в системах связи и радиоэлектроники
  • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:

    • Системы связи
  • Радиолокационное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства управления
  • Выбрано: Показать

    Характеристики MUN5111DW1T1G

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип транзистора
      2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
      100mA
    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
      50V
    • Resistor - Base (R1)
      10kOhms
    • Resistor - Emitter Base (R2)
      10kOhms
    • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
      250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора (Max)
      500nA
    • Рассеивание мощности
      250mW
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Исполнение корпуса
      SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Base Product Number
      MUN5111

    Техническая документация

     MUN5111DW1T1G.pdf
    pdf. 0 kb
    • 27556 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      45.5 ₽
    • 100
      17.5 ₽
    • 1000
      11.3 ₽
    • 6000
      8.4 ₽
    • 15000
      7.3 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      onsemi
    • Артикул:
      MUN5111DW1T1G
    • Описание:
      Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

    Минимальная цена MUN5111DW1T1G при покупке от 1 шт 45.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5111DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание MUN5111DW1T1G

    MUN5111DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

    • Основные параметры:
      • Тип: 2ПНП (двойной пьезоэмиттерный непереключаемый пентод)
    • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером: 50В
  • Ток коллектора: до 1А
  • Сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе: ≤10кОм
  • Предел температуры работы: -40°C до +150°C
  • Плюсы:

    • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малое сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе
  • Низкий ток утечки
  • Минусы:

    • Высокий входной сопротивление может ограничить скорость работы
  • Требуется дополнительная схемотехника для предварительного усиления сигнала
  • Общее назначение:

    • Использование в предварительных усилителях
  • Применение в системах связи и радиоэлектроники
  • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:

    • Системы связи
  • Радиолокационное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства управления
  • Выбрано: Показать

    Характеристики MUN5111DW1T1G

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип транзистора
      2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
      100mA
    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
      50V
    • Resistor - Base (R1)
      10kOhms
    • Resistor - Emitter Base (R2)
      10kOhms
    • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
      250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора (Max)
      500nA
    • Рассеивание мощности
      250mW
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Исполнение корпуса
      SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Base Product Number
      MUN5111

    Техническая документация

     MUN5111DW1T1G.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      NSBC114TPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
      17Кешбэк 2 балла
      NSBA114TDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
      17Кешбэк 2 балла
      NSBC143ZDXV6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
      17Кешбэк 2 балла
      NSBA143TDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
      17Кешбэк 2 балла
      EMA6DXV5T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
      17.2Кешбэк 2 балла
      NSBC123JDXV6T5TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
      19Кешбэк 2 балла
      NSBC143TPDXV6T1Транзистор
      19Кешбэк 2 балла
      NSBC114YDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
      19Кешбэк 2 балла
      NSBC123TDP6T5GTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
      19Кешбэк 2 балла
      MUN5137DW1T1Транзистор
      19Кешбэк 2 балла
      NSBC144EDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
      22.8Кешбэк 3 балла
      MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
      24.5Кешбэк 3 балла
      MUN5235DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
      25.7Кешбэк 3 балла
      SMUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88
      27.5Кешбэк 4 балла
      NSBA143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
      30.4Кешбэк 4 балла
      MUN5236DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
      32Кешбэк 4 балла
      UMA6NT1Транзистор
      32Кешбэк 4 балла
      SMUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
      32Кешбэк 4 балла
      MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
      40Кешбэк 6 баллов
      SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
      42Кешбэк 6 баллов
      SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
      43Кешбэк 6 баллов
      MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
      44Кешбэк 6 баллов
      MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
      44Кешбэк 6 баллов
      MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
      45.5Кешбэк 6 баллов
      MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
      45.5Кешбэк 6 баллов
      MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
      45.5Кешбэк 6 баллов
      MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
      45.5Кешбэк 6 баллов
      MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
      45.5Кешбэк 6 баллов
      MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
      45.5Кешбэк 6 баллов
      MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
      45.5Кешбэк 6 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Диоды выпрямительные - Модули
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Полевые транзисторы - Сборки
      Принадлежности для дискретных полупроводников
      Диоды и транзисторы для регулирования тока
      Тиристоры - TRIACs
      Одиночные IGBT транзисторы
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Одиночные триодные тиристоры
      Диоды - мостовые выпрямители
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Модули драйверов питания
      Модули драйверов питания
      Сборки биполярных транзисторов
      Диоды - выпрямители - массивы
      Модули триодных тиристоров
      Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
      IGBT транзисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
      Варикапы и Варакторы
      Симисторы - Модули
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Транзисторы - IGBT - модули
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Диодные мосты
      Транзисторные модули
      Одиночные биполярные транзисторы
      Полевые транзисторы - Модули
      Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
      Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
      Тиристоры - SCR - модули
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Тиристоры - SCR
      Диодные мосты - Модули
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Диоды силовые
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
      Биполярные транзисторы
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Транзисторы специального назначения
      Симисторы
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Высокочастотные диоды
      Диоды - ВЧ
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы - программируемые однопереходные
    Логотип ЭикомЭиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Наш Telegram
    Наш Яндекс.Дзен
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Наш Telegram
    Наш Яндекс.Дзен
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП