Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
MUN5111DW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G
;
MUN5111DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5111DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена MUN5111DW1T1G при покупке от 1 шт 44.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5111DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2ПНП (двойной пьезоэмиттерный непереключаемый пентод)
  • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером: 50В
  • Ток коллектора: до 1А
  • Сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе: ≤10кОм
  • Предел температуры работы: -40°C до +150°C
  • Плюсы:

    • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малое сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе
  • Низкий ток утечки
  • Минусы:

    • Высокий входной сопротивление может ограничить скорость работы
  • Требуется дополнительная схемотехника для предварительного усиления сигнала
  • Общее назначение:

    • Использование в предварительных усилителях
  • Применение в системах связи и радиоэлектроники
  • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:

    • Системы связи
  • Радиолокационное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства управления
  • Выбрано: Показать

    Характеристики MUN5111DW1T1G

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип транзистора
      2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
      100mA
    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
      50V
    • Resistor - Base (R1)
      10kOhms
    • Resistor - Emitter Base (R2)
      10kOhms
    • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
      250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора (Max)
      500nA
    • Рассеивание мощности
      250mW
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Исполнение корпуса
      SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Base Product Number
      MUN5111

    Техническая документация

     MUN5111DW1T1G.pdf
    pdf. 0 kb
    • 27556 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      44.5 ₽
    • 100
      17 ₽
    • 1000
      11 ₽
    • 6000
      8.2 ₽
    • 15000
      7.2 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      onsemi
    • Артикул:
      MUN5111DW1T1G
    • Описание:
      Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

    Минимальная цена MUN5111DW1T1G при покупке от 1 шт 44.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5111DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание MUN5111DW1T1G

    MUN5111DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

    • Основные параметры:
      • Тип: 2ПНП (двойной пьезоэмиттерный непереключаемый пентод)
    • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером: 50В
  • Ток коллектора: до 1А
  • Сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе: ≤10кОм
  • Предел температуры работы: -40°C до +150°C
  • Плюсы:

    • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малое сопротивление коллектора-эмиттера при отключенном базе
  • Низкий ток утечки
  • Минусы:

    • Высокий входной сопротивление может ограничить скорость работы
  • Требуется дополнительная схемотехника для предварительного усиления сигнала
  • Общее назначение:

    • Использование в предварительных усилителях
  • Применение в системах связи и радиоэлектроники
  • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:

    • Системы связи
  • Радиолокационное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства управления
  • Выбрано: Показать

    Характеристики MUN5111DW1T1G

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип транзистора
      2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
      100mA
    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
      50V
    • Resistor - Base (R1)
      10kOhms
    • Resistor - Emitter Base (R2)
      10kOhms
    • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
      250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора (Max)
      500nA
    • Рассеивание мощности
      250mW
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Исполнение корпуса
      SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Base Product Number
      MUN5111

    Техническая документация

     MUN5111DW1T1G.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      DMA9640T0RТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
      133Кешбэк 19 баллов
      NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
      13Кешбэк 1 балл
      PBLS1504V,115Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
      39Кешбэк 5 баллов
      NSBC143ZPDP6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
      63Кешбэк 9 баллов
      SMUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
      50Кешбэк 7 баллов
      PUMH10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
      35Кешбэк 5 баллов
      PEMD20,115Транзистор
      14.8Кешбэк 2 балла
      RN2506(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
      59Кешбэк 8 баллов
      PUMH17,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
      35Кешбэк 5 баллов
      PUMD9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
      41Кешбэк 6 баллов
      PUMD12,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
      35Кешбэк 5 баллов
      UMG9NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
      85Кешбэк 12 баллов
      EMG3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
      70Кешбэк 10 баллов
      NSVMUN5316DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
      50Кешбэк 7 баллов
      NSB1706DMW5T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
      50Кешбэк 7 баллов
      NSBC114EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
      67Кешбэк 10 баллов
      SMUN5335DW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
      50Кешбэк 7 баллов
      PEMB10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
      87Кешбэк 13 баллов
      SMUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
      50Кешбэк 7 баллов
      DDA114EU-7-FТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
      67Кешбэк 10 баллов
      EMB2T2RТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
      98Кешбэк 14 баллов
      EMA5T2RТранзистор
      72Кешбэк 10 баллов
      EMH3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
      98Кешбэк 14 баллов
      EMH6T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
      39Кешбэк 5 баллов
      EMG11T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
      94Кешбэк 14 баллов
      PQMH9ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
      9.3Кешбэк 1 балл
      MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
      44.5Кешбэк 6 баллов
      PEMD19,115Транзистор
      9.3Кешбэк 1 балл
      PBLS2023D,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
      28Кешбэк 4 балла
      PUMD48,125Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
      44.5Кешбэк 6 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Варикапы и Варакторы
      Биполярные транзисторы
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Тиристоры - SCR - модули
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Транзисторы - IGBT - модули
      Диодные мосты - Модули
      Диоды - ВЧ
      Симисторы - Модули
      Диоды выпрямительные - Модули
      Тиристоры - SCR
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Полевые транзисторы - Сборки
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Диоды - выпрямители - массивы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Диоды силовые
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Триодные тиристоры - Модули
      Высокочастотные диоды
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Драйверы питания - Модули
      Транзисторы - Специального назначения
      Симисторы
      Принадлежности
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Полевые транзисторы - Модули
      Диодные мосты
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Транзисторы - Модули
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Диоды - мостовые выпрямители
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Модули драйверов питания
      Тиристоры - TRIACs
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      IGBT транзисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП