MUN5115T1

MUN5115T1 onsemi Транзистор

• Основные параметры:
• Номинальный коэффициент усиления (h_fe): 200-400
• Номинальное напряжение междуCollector-Emitter (V_CEO): 60 В
• Номинальный ток Collector (I_C): 15 А
• Температурный коэффициент напряжения (V_CEO): +2 мВ/°C
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Устойчивость к перегреву
• Долгий срок службы
• Эффективность в различных условиях работы
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с менее мощными транзисторами
• Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Усиление сигналов
• Контроль тока в цепях
• Применение:
• Автомобильная электроника
• Индустриальные системы
• Электронные устройства бытовой техники
• Системы управления электродвигателями