Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G
;
MUN5212DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MUN5212DW1T1G при покупке от 1 шт 44.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5212DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G onsemi Транзистор:

  • Тип: 2НПН (биполярный npn)
  • Мощность: 0,25Вт
  • Объем: SOT363

Основные параметры:

  • VCEO: 40В
  • IC (максимальный ток коллектора): 500мА
  • BF (коэффициент усиления базы-коллектора): 250
  • VBE(on) (напряжение включения база-эмиттер): 0,8В

Плюсы:

  • Низкая цена
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер

Минусы:

  • Меньше мощности по сравнению с более крупными транзисторами
  • Низкий коэффициент усиления при высоких температурах

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения
  • Усиление сигналов
  • Переключение цепей
  • Измерение напряжений

Применение в устройствах:

  • Микросхемы управления
  • Аудио усилители
  • Цифровые электронные устройства
  • Иllumination control systems
  • Системы измерения
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5212DW1T1G

Техническая документация

MUN5212DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 25478 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    44.5 ₽
  • 100
    17 ₽
  • 1000
    11 ₽
  • 6000
    8.2 ₽
  • 15000
    7.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MUN5212DW1T1G при покупке от 1 шт 44.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5212DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G onsemi Транзистор:

  • Тип: 2НПН (биполярный npn)
  • Мощность: 0,25Вт
  • Объем: SOT363

Основные параметры:

  • VCEO: 40В
  • IC (максимальный ток коллектора): 500мА
  • BF (коэффициент усиления базы-коллектора): 250
  • VBE(on) (напряжение включения база-эмиттер): 0,8В

Плюсы:

  • Низкая цена
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер

Минусы:

  • Меньше мощности по сравнению с более крупными транзисторами
  • Низкий коэффициент усиления при высоких температурах

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения
  • Усиление сигналов
  • Переключение цепей
  • Измерение напряжений

Применение в устройствах:

  • Микросхемы управления
  • Аудио усилители
  • Цифровые электронные устройства
  • Иllumination control systems
  • Системы измерения
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5212DW1T1G

Техническая документация

MUN5212DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории