Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MUN5241T1G
  • В избранное
  • В сравнение
MUN5241T1G

MUN5241T1G

MUN5241T1G
;
MUN5241T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5241T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MUN5241T1G при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5241T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5241T1G

MUN5241T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение разрыва (VCEO): 50В
    • Потребляемая мощность (Ptot): 180мВт
    • Максимальный токCollector (ICMAX): 500mA
    • Эффективное значение тока Collector (ICBO): 10µA
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение разрыва (50В)
    • Низкое потребление мощности
    • Устойчивость к обратному току
    • Малый размер корпуса (SC70-3)
  • Минусы:
    • Средний ток Collector не очень высокий (500mA)
    • Требует предварительного наклона (prebias)
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Применяется в качестве ключей в схемах управления
    • Подходит для работы в высокочастотных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления мощностью
    • Микросхемы цифровой электроники
    • Системы питания
    • Радиоприемники и передатчики
    • Дисплеи
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5241T1G

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MUN5241

Техническая документация

 MUN5241T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29.6 ₽
  • 100
    11 ₽
  • 1000
    7 ₽
  • 6000
    5.1 ₽
  • 15000
    4.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MUN5241T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MUN5241T1G при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUN5241T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUN5241T1G

MUN5241T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение разрыва (VCEO): 50В
    • Потребляемая мощность (Ptot): 180мВт
    • Максимальный токCollector (ICMAX): 500mA
    • Эффективное значение тока Collector (ICBO): 10µA
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение разрыва (50В)
    • Низкое потребление мощности
    • Устойчивость к обратному току
    • Малый размер корпуса (SC70-3)
  • Минусы:
    • Средний ток Collector не очень высокий (500mA)
    • Требует предварительного наклона (prebias)
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Применяется в качестве ключей в схемах управления
    • Подходит для работы в высокочастотных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления мощностью
    • Микросхемы цифровой электроники
    • Системы питания
    • Радиоприемники и передатчики
    • Дисплеи
Выбрано: Показать

Характеристики MUN5241T1G

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MUN5241

Техническая документация

 MUN5241T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTA123EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    56Кешбэк 8 баллов
    NSBC143ZF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    63Кешбэк 9 баллов
    NSVMMUN2112LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    PDTD143XTVLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    48Кешбэк 7 баллов
    DTA115EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PDTC144EU,135Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    31.5Кешбэк 4 балла
    NSBA114EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    93Кешбэк 13 баллов
    PDTC123TM,315Транзистор
    63Кешбэк 9 баллов
    PDTC114TT,235Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    28Кешбэк 4 балла
    DTC115TMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
    45.5Кешбэк 6 баллов
    DTA114YET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    3.46Кешбэк 1 балл
    DTC124EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN1104MFV,L3FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    29.6Кешбэк 4 балла
    DTA143TKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    46Кешбэк 6 баллов
    DTC144TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DTA114EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    56Кешбэк 8 баллов
    NSVDTA113EM3T5GТранзистор: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
    52Кешбэк 7 баллов
    DTC114TETLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    54Кешбэк 8 баллов
    NSVDTC123EM3T5GТранзистор: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DDTA143FCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    BCR133WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTC143ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
    43Кешбэк 6 баллов
    DTA044EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YETLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    59Кешбэк 8 баллов
    PDTA143ZU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    DTA144EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    35Кешбэк 5 баллов
    PDTC123YMB,315Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
    54Кешбэк 8 баллов
    NSBA143TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    56Кешбэк 8 баллов
    DTC143XKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    DTB143EKT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    100Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП