Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
MUR860H
  • В избранное
  • В сравнение
MUR860H

MUR860H

MUR860H
;
MUR860H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    MUR860H
  • Описание:
    DIODE GEN PURPOSEВсе характеристики

Минимальная цена MUR860H при покупке от 1 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR860H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR860H

Размеры и описание:

  • Маркировка: MUR860H
  • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Тип: DIODE GEN PURPOSE (общего назначения)

Основные параметры:

  • Напряжение падения: 1.2 В при токе 1 А
  • Рейтингный ток: 1 А
  • Сопротивление: ≤ 1 Ω при токе 1 А
  • Температурный коэффициент: ≤ 100 мВ/°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Низкое сопротивление
  • Удобство использования в различных электронных схемах

Минусы:

  • Меньше мощности по сравнению с специализированными диодами
  • Более высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами

Общее назначение:

  • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
  • Распределение тока в различных схемах
  • Изоляция сигналов

Применение в устройствах:

  • Передатчики и приемники радиосигналов
  • Источники питания
  • Датчики температуры и давления
  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUR860H

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 MUR860H.pdf
pdf. 0 kb
  • 979 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    315 ₽
  • 10
    199 ₽
  • 100
    133 ₽
  • 1000
    96 ₽
  • 5000
    80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    MUR860H
  • Описание:
    DIODE GEN PURPOSEВсе характеристики

Минимальная цена MUR860H при покупке от 1 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR860H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR860H

Размеры и описание:

  • Маркировка: MUR860H
  • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Тип: DIODE GEN PURPOSE (общего назначения)

Основные параметры:

  • Напряжение падения: 1.2 В при токе 1 А
  • Рейтингный ток: 1 А
  • Сопротивление: ≤ 1 Ω при токе 1 А
  • Температурный коэффициент: ≤ 100 мВ/°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Низкое сопротивление
  • Удобство использования в различных электронных схемах

Минусы:

  • Меньше мощности по сравнению с специализированными диодами
  • Более высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами

Общее назначение:

  • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
  • Распределение тока в различных схемах
  • Изоляция сигналов

Применение в устройствах:

  • Передатчики и приемники радиосигналов
  • Источники питания
  • Датчики температуры и давления
  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUR860H

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 MUR860H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    277Кешбэк 41 балл
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    277Кешбэк 41 балл
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    277Кешбэк 41 балл
    SFAS808GDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    279Кешбэк 41 балл
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    279Кешбэк 41 балл
    TSUP5M45SH S1G5A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER
    279Кешбэк 41 балл
    SFF505GDIODE GEN PURP 300V 5A ITO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SFF504GDIODE GEN PURP 200V 5A ITO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    283Кешбэк 42 балла
    SFF1008GADIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
    283Кешбэк 42 балла
    SFF1008GDIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
    283Кешбэк 42 балла
    SFF1604GDIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AB
    287Кешбэк 43 балла
    HERF1007GAHDIODE, HIGH EFFICIENT
    293Кешбэк 43 балла
    TPAR3D S1GDIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
    298Кешбэк 44 балла
    HERAF808GDIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
    300Кешбэк 45 баллов
    SFS1006GHDIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
    308Кешбэк 46 баллов
    SFS1006GDIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
    308Кешбэк 46 баллов
    MUR860HDIODE GEN PURPOSE
    315Кешбэк 47 баллов
    TST20L100CWDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB
    329Кешбэк 49 баллов
    TSUP10M60SH S1G10A, 60V, SCHOTTKY RECTIFIER
    334Кешбэк 50 баллов
    SFF1608GДиод: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    SFF2004GDIODE GEN PURP 200V 20A ITO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    SFF2006GHDIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB
    355Кешбэк 53 балла
    SFF2006GDIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB
    355Кешбэк 53 балла
    SFF2008GDIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    TST30L100CWDIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    TST30L150CWDIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
    374Кешбэк 56 баллов
    TST30H200CWDIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
    409Кешбэк 61 балл
    TST40L120CWDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
    410Кешбэк 61 балл
    TSP10U120SDIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277A
    410Кешбэк 61 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП