Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
MUR860H
  • В избранное
  • В сравнение
MUR860H

MUR860H

MUR860H
;
MUR860H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    MUR860H
  • Описание:
    DIODE GEN PURPOSEВсе характеристики

Минимальная цена MUR860H при покупке от 1 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR860H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR860H

Размеры и описание:

  • Маркировка: MUR860H
  • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Тип: DIODE GEN PURPOSE (общего назначения)

Основные параметры:

  • Напряжение падения: 1.2 В при токе 1 А
  • Рейтингный ток: 1 А
  • Сопротивление: ≤ 1 Ω при токе 1 А
  • Температурный коэффициент: ≤ 100 мВ/°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Низкое сопротивление
  • Удобство использования в различных электронных схемах

Минусы:

  • Меньше мощности по сравнению с специализированными диодами
  • Более высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами

Общее назначение:

  • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
  • Распределение тока в различных схемах
  • Изоляция сигналов

Применение в устройствах:

  • Передатчики и приемники радиосигналов
  • Источники питания
  • Датчики температуры и давления
  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUR860H

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 MUR860H.pdf
pdf. 0 kb
  • 979 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    315 ₽
  • 10
    199 ₽
  • 100
    133 ₽
  • 1000
    96 ₽
  • 5000
    80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    MUR860H
  • Описание:
    DIODE GEN PURPOSEВсе характеристики

Минимальная цена MUR860H при покупке от 1 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MUR860H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MUR860H

Размеры и описание:

  • Маркировка: MUR860H
  • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Тип: DIODE GEN PURPOSE (общего назначения)

Основные параметры:

  • Напряжение падения: 1.2 В при токе 1 А
  • Рейтингный ток: 1 А
  • Сопротивление: ≤ 1 Ω при токе 1 А
  • Температурный коэффициент: ≤ 100 мВ/°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Низкое сопротивление
  • Удобство использования в различных электронных схемах

Минусы:

  • Меньше мощности по сравнению с специализированными диодами
  • Более высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами

Общее назначение:

  • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
  • Распределение тока в различных схемах
  • Изоляция сигналов

Применение в устройствах:

  • Передатчики и приемники радиосигналов
  • Источники питания
  • Датчики температуры и давления
  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MUR860H

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 MUR860H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SRF10200DIODE, SCHOTTKY, STANDARD, 10A,
    369Кешбэк 55 баллов
    SR1504DIODE SCHOTTKY 40V 15A R-6
    370Кешбэк 55 баллов
    MBRF10200 C0GDIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
    372Кешбэк 55 баллов
    UGS30JH50NS, 30A, 600V, HIGH EFFICIENT
    570Кешбэк 85 баллов
    SF3004PTДиод: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD
    608Кешбэк 91 балл
    SR1502 R0GDIODE SCHOTTKY 20V 15A R-6
    653Кешбэк 97 баллов
    BAS516-TPДиод: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523
    15.4Кешбэк 2 балла
    BAS116-TPДиод: 225MWSWITCHINGDIODESSOT-23
    16Кешбэк 2 балла
    1N4148WL2-TPДиод: DIODE GP 100V 150MA DFN1006-2
    21.3Кешбэк 3 балла
    BAS70WX-TP200MWSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIER
    27Кешбэк 4 балла
    S1M-LTPДиод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AA
    28.3Кешбэк 4 балла
    1N4936GP-TPДиод: DIODE GPP FAST 1A DO-41
    36Кешбэк 5 баллов
    1N4942GP-TPДиод: DIODE GPP FAST 1A DO-41
    46Кешбэк 6 баллов
    GS2Y-LTPДиод: DIODE GP 1.6KV 1.5A DO214AC
    49Кешбэк 7 баллов
    SF54G-TPДиод: DIODE GPP HE 5A DO-201AD
    50Кешбэк 7 баллов
    SF56G-TPДиод: DIODE GPP HE 5A DO-201AD
    57Кешбэк 8 баллов
    SMD34PL-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 3A 40V SOD123FL
    68Кешбэк 10 баллов
    SL110A-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
    81Кешбэк 12 баллов
    CD214C-S3JDIO RECT VRRM 600V 3A SMC
    28.5Кешбэк 4 балла
    CD214A-B140LRDIO SBD VRRM 40V 1A SMA
    30.4Кешбэк 4 балла
    CD214B-FS3KDIO RECT VRRM 800V 3A SMB
    32Кешбэк 4 балла
    CD0603-B0340RДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 300MA 0603
    32Кешбэк 4 балла
    CD214A-B160RДиод: DIO SBD VRRM 60V 1A SMA
    34Кешбэк 5 баллов
    CD0603-B0240RDIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603
    36Кешбэк 5 баллов
    CD214A-S1DDIO RECT
    44Кешбэк 6 баллов
    CD214A-S1KDIO RECT
    49Кешбэк 7 баллов
    CD214A-S1YДиод: DIO RECT
    63Кешбэк 9 баллов
    CD214A-S1MDIO RECT
    63Кешбэк 9 баллов
    CD214B-S3GDIODE GEN PURP 400V 3A 2SMD
    68Кешбэк 10 баллов
    CD214B-FS3GDIO RECT VRRM 400V 3A SMB
    68Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП