Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MW6S004NT1
  • В избранное
  • В сравнение
MW6S004NT1

MW6S004NT1

MW6S004NT1
;
MW6S004NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    MW6S004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MW6S004NT1 при покупке от 1 шт 4617.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MW6S004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MW6S004NT1

MW6S004NT1 NXP Semiconductors Транзистор: FET RF 68V 1.96GHz PLD-1.5

  • Основные параметры:
    • Тип: RF (радиочастотный) MOSFET (MOS-транзистор)
    • Рабочее напряжение: 68В
    • Частота: 1.96ГГц
    • Пакет: PLD-1.5
  • Плюсы:
    • Высокая скорость отклика
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам
    • Низкий уровень шума (LOM)
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специальных условий для работы (температура, напряжение)
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления и управления сигналами высокой частоты
  • Применяется в:
    • Сотовых телефонов
    • Данных передачи и приема (ДПР)
    • Локальных радиосистемах
    • Автомобильных системах связи
    • Медицинских устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MW6S004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MW6S004

Техническая документация

 MW6S004NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 617 ₽
  • 10
    3 472 ₽
  • 100
    3 337 ₽
  • 1000
    3 337 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    MW6S004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MW6S004NT1 при покупке от 1 шт 4617.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MW6S004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MW6S004NT1

MW6S004NT1 NXP Semiconductors Транзистор: FET RF 68V 1.96GHz PLD-1.5

  • Основные параметры:
    • Тип: RF (радиочастотный) MOSFET (MOS-транзистор)
    • Рабочее напряжение: 68В
    • Частота: 1.96ГГц
    • Пакет: PLD-1.5
  • Плюсы:
    • Высокая скорость отклика
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам
    • Низкий уровень шума (LOM)
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специальных условий для работы (температура, напряжение)
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления и управления сигналами высокой частоты
  • Применяется в:
    • Сотовых телефонов
    • Данных передачи и приема (ДПР)
    • Локальных радиосистемах
    • Автомобильных системах связи
    • Медицинских устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MW6S004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MW6S004

Техническая документация

 MW6S004NT1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    548Кешбэк 82 балла
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    645Кешбэк 96 баллов
    RFM04U6P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    689Кешбэк 103 балла
    2SK209-GR(TE85L,F)Тиристор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    99Кешбэк 14 баллов
    BF1202WR,135Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    65Кешбэк 9 баллов
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1100WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1205,115Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    BF1108,215Транзистор: IC RF SWITCH SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    719Кешбэк 107 баллов
    BF1102,115Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    1 925Кешбэк 288 баллов
    BF1216,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    BF1206,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    89Кешбэк 13 баллов
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BF1100R,215Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1203,115Транзистор: FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
    76Кешбэк 11 баллов
    BF1202R,215Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF904AR,215Транзистор: MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
    46Кешбэк 6 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    4 617Кешбэк 692 балла
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    3 570Кешбэк 535 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    16 472Кешбэк 2 470 баллов
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    3 474Кешбэк 521 балл
    MW7IC2020NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN
    11 653Кешбэк 1 747 баллов
    AFT05MP075GNR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
    5 951Кешбэк 892 балла
    AFT09MP055NR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
    6 866Кешбэк 1 029 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП