Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MW6S004NT1
  • В избранное
  • В сравнение
MW6S004NT1

MW6S004NT1

MW6S004NT1
;
MW6S004NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MW6S004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MW6S004NT1 при покупке от 1 шт 5021.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MW6S004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MW6S004NT1

MW6S004NT1 NXP Semiconductors Транзистор: FET RF 68V 1.96GHz PLD-1.5

  • Основные параметры:
    • Тип: RF (радиочастотный) MOSFET (MOS-транзистор)
    • Рабочее напряжение: 68В
    • Частота: 1.96ГГц
    • Пакет: PLD-1.5
  • Плюсы:
    • Высокая скорость отклика
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам
    • Низкий уровень шума (LOM)
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специальных условий для работы (температура, напряжение)
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления и управления сигналами высокой частоты
  • Применяется в:
    • Сотовых телефонов
    • Данных передачи и приема (ДПР)
    • Локальных радиосистемах
    • Автомобильных системах связи
    • Медицинских устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MW6S004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MW6S004

Техническая документация

 MW6S004NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3541 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 021 ₽
  • 10
    4 025 ₽
  • 25
    3 776 ₽
  • 100
    3 502 ₽
  • 250
    3 371 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MW6S004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MW6S004NT1 при покупке от 1 шт 5021.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MW6S004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MW6S004NT1

MW6S004NT1 NXP Semiconductors Транзистор: FET RF 68V 1.96GHz PLD-1.5

  • Основные параметры:
    • Тип: RF (радиочастотный) MOSFET (MOS-транзистор)
    • Рабочее напряжение: 68В
    • Частота: 1.96ГГц
    • Пакет: PLD-1.5
  • Плюсы:
    • Высокая скорость отклика
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам
    • Низкий уровень шума (LOM)
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специальных условий для работы (температура, напряжение)
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления и управления сигналами высокой частоты
  • Применяется в:
    • Сотовых телефонов
    • Данных передачи и приема (ДПР)
    • Локальных радиосистемах
    • Автомобильных системах связи
    • Медицинских устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MW6S004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MW6S004

Техническая документация

 MW6S004NT1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    51 418Кешбэк 7 712 баллов
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    52 140Кешбэк 7 821 балл
    BLF6G13LS-250PGJТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
    58 859Кешбэк 8 828 баллов
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    59 093Кешбэк 8 863 балла
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    59 982Кешбэк 8 997 баллов
    BLF888,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A
    60 190Кешбэк 9 028 баллов
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    62 378Кешбэк 9 356 баллов
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    63 577Кешбэк 9 536 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    65 664Кешбэк 9 849 баллов
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    67 446Кешбэк 10 116 баллов
    BLL8H0514-25UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
    68 276Кешбэк 10 241 балл
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    73 229Кешбэк 10 984 балла
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    74 859Кешбэк 11 228 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    86 007Кешбэк 12 901 балл
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    130 794Кешбэк 19 619 баллов
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    172 735Кешбэк 25 910 баллов
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    186 108Кешбэк 27 916 баллов
    BLA6H0912LS-1000UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    237 677Кешбэк 35 651 балл
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    782Кешбэк 117 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 325Кешбэк 198 баллов
    MHT1008NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
    2 943Кешбэк 441 балл
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 900Кешбэк 585 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 343Кешбэк 651 балл
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 533Кешбэк 679 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    5 021Кешбэк 753 балла
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 720Кешбэк 858 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП