Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MW6S004NT1
MW6S004NT1

MW6S004NT1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MW6S004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MW6S004NT1 при покупке от 1 шт 12184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MW6S004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MW6S004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MW6S004
Техническая документация
 MW6S004NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 4337 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 184 ₽
  • 10
    10 077 ₽
  • 25
    9 552 ₽
  • 100
    8 974 ₽
  • 1000
    8 396 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MW6S004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5Все характеристики

Минимальная цена MW6S004NT1 при покупке от 1 шт 12184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MW6S004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MW6S004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.96GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    50 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    PLD-1.5
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5
  • Base Product Number
    MW6S004
Техническая документация
 MW6S004NT1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    17 069Кешбэк 2 560 баллов
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    167 092Кешбэк 25 063 балла
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    12 116Кешбэк 1 817 баллов
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    31 633Кешбэк 4 744 балла
    BF909WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343
    43Кешбэк 6 баллов
    MMRF1004NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    7 186Кешбэк 1 077 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 301Кешбэк 2 295 баллов
    A2I08H040GNR1Транзистор: IC RF LDMOS AMP
    1 433Кешбэк 214 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    671Кешбэк 100 баллов
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    558Кешбэк 83 балла
    MRFG35010NR5Транзистор: FET RF 15V 3.55GHZ
    8 042Кешбэк 1 206 баллов
    MRF6S20010GNR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
    9 374Кешбэк 1 406 баллов
    VRF2933Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177
    31 110Кешбэк 4 666 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 502Кешбэк 1 275 баллов
    CGHV14250FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440162
    112 078Кешбэк 16 811 баллов
    PD84006L-EТранзистор: FET RF 25V 870MHZ
    1 652Кешбэк 247 баллов
    BLF884P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
    34 796Кешбэк 5 219 баллов
    BLF184XRGQТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    29 477Кешбэк 4 421 балл
    MRF5S9100NR1Транзистор: FET RF 68V 880MHZ TO-270-4
    7 401Кешбэк 1 110 баллов
    CGHV40100PТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440206
    71 153Кешбэк 10 672 балла
    SD57045Транзистор: FET RF 65V 945MHZ M243
    19 047Кешбэк 2 857 баллов
    MRF148AТранзистор: FET RF 120V 175MHZ 211-07
    14 079Кешбэк 2 111 баллов
    MRF6P23190HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    26 506Кешбэк 3 975 баллов
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    17 169Кешбэк 2 575 баллов
    PD55015TR-EТранзистор: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    4 298Кешбэк 644 балла
    MRF6V3090NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO270
    12 655Кешбэк 1 898 баллов
    MRF151AТранзистор: FET RF N-CH 50V 150W P-244
    34 296Кешбэк 5 144 балла
    BLF183XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    37 875Кешбэк 5 681 балл
    SD2931-10WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174
    17 316Кешбэк 2 597 баллов
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    63 761Кешбэк 9 564 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП