Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
MWT-5F
  • В избранное
  • В сравнение
MWT-5F

MWT-5F

MWT-5F
;
MWT-5F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    CML Micro
  • Артикул:
    MWT-5F
  • Описание:
    Транзистор: GAAS MESFETВсе характеристики

Минимальная цена MWT-5F при покупке от 1 шт 13261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MWT-5F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MWT-5F

MWT-5F — это транзистор GAAS MESFET (ГетероструктурныйMESFET на базе галлия асэтилена с кремнием) производства компании CML Micro.

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектора-;base: до 10 В
    • Ток дrain-: до 100 мА
    • Предел частоты: до 4 ГГц
    • Температурный диапазон: от -40°C до +85°C
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Высокая частота работы
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специального оборудования для производства
    • Возможны проблемы с тепловым управлением при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Радиосвязь и спутниковая связь
    • Мобильные устройства и системы навигации
    • Инфраструктура связи
  • Применение:
    • Системы передачи данных
    • Радиолокация и радиолокационное оборудование
    • Спутниковые системы
    • Мобильные телефоны и смартфоны
Выбрано: Показать

Характеристики MWT-5F

  • Частота
    500MHz ~ 26GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    6 V
  • Current Rating (Amps)
    80mA
  • Уровень шума
    3.5dB @ 12GHz
  • Тестовый ток
    30 mA
  • Корпус
    Die
  • Исполнение корпуса
    Chip

Техническая документация

 MWT-5F.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 261 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    CML Micro
  • Артикул:
    MWT-5F
  • Описание:
    Транзистор: GAAS MESFETВсе характеристики

Минимальная цена MWT-5F при покупке от 1 шт 13261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MWT-5F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MWT-5F

MWT-5F — это транзистор GAAS MESFET (ГетероструктурныйMESFET на базе галлия асэтилена с кремнием) производства компании CML Micro.

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектора-;base: до 10 В
    • Ток дrain-: до 100 мА
    • Предел частоты: до 4 ГГц
    • Температурный диапазон: от -40°C до +85°C
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Высокая частота работы
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специального оборудования для производства
    • Возможны проблемы с тепловым управлением при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Радиосвязь и спутниковая связь
    • Мобильные устройства и системы навигации
    • Инфраструктура связи
  • Применение:
    • Системы передачи данных
    • Радиолокация и радиолокационное оборудование
    • Спутниковые системы
    • Мобильные телефоны и смартфоны
Выбрано: Показать

Характеристики MWT-5F

  • Частота
    500MHz ~ 26GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    6 V
  • Current Rating (Amps)
    80mA
  • Уровень шума
    3.5dB @ 12GHz
  • Тестовый ток
    30 mA
  • Корпус
    Die
  • Исполнение корпуса
    Chip

Техническая документация

 MWT-5F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF989UТранзистор: BLF989/SOT539/TRAY
    44 753Кешбэк 6 712 баллов
    BLF888B,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    46 508Кешбэк 6 976 баллов
    BLF888BS,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539B
    46 508Кешбэк 6 976 баллов
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    47 764Кешбэк 7 164 балла
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    47 923Кешбэк 7 188 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    48 939Кешбэк 7 340 баллов
    BLF189XRBSUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    50 271Кешбэк 7 540 баллов
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    50 989Кешбэк 7 648 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    51 736Кешбэк 7 760 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    51 958Кешбэк 7 793 балла
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    55 843Кешбэк 8 376 баллов
    BLL9G1214LS-600UТранзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
    55 843Кешбэк 8 376 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    58 375Кешбэк 8 756 баллов
    BLF189XRAUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    60 552Кешбэк 9 082 балла
    BLF189XRASUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    60 666Кешбэк 9 099 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    64 178Кешбэк 9 626 баллов
    BLF898UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
    64 178Кешбэк 9 626 баллов
    BLS9G2731L-400Транзистор: RF FET
    68 066Кешбэк 10 209 баллов
    BLS9G2731LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    68 066Кешбэк 10 209 баллов
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    68 676Кешбэк 10 301 балл
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    68 840Кешбэк 10 326 баллов
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    71 902Кешбэк 10 785 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    82 378Кешбэк 12 356 баллов
    BLF578XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    84 886Кешбэк 12 732 балла
    BLA8H0910L-500UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
    107 874Кешбэк 16 181 балл
    BLA9H0912L-1200PUТранзистор: BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
    118 757Кешбэк 17 813 баллов
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    116Кешбэк 17 баллов
    AFM906NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN
    705Кешбэк 105 баллов
    A2T27S007NT1Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    1 130Кешбэк 169 баллов
    MRF24300NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
    3 647Кешбэк 547 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП