Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NDT452AP
  • В избранное
  • В сравнение
NDT452AP

NDT452AP

NDT452AP
;
NDT452AP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    NDT452AP
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Все характеристики

Минимальная цена NDT452AP при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDT452AP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NDT452AP

NDT452AP ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 5А
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Монтажный корпус: SOT-223-4
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Работает только с положительным напряжением питания
    • Не рекомендуется для применения в высокочастотных цепях
  • Общее назначение:
    • Используется для управления токами в электронных устройствах
    • Подходит для различных приложений, требующих регулирования напряжения или тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Преобразование напряжений
    • Драйверы двигателей
    • Цифровые системы управления
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NDT452AP

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    690 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta)
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA

Техническая документация

 NDT452AP.pdf
pdf. 0 kb
  • 3612 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    262 ₽
  • 5
    205 ₽
  • 10
    180 ₽
  • 100
    115 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    NDT452AP
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Все характеристики

Минимальная цена NDT452AP при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDT452AP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NDT452AP

NDT452AP ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 5А
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Монтажный корпус: SOT-223-4
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Работает только с положительным напряжением питания
    • Не рекомендуется для применения в высокочастотных цепях
  • Общее назначение:
    • Используется для управления токами в электронных устройствах
    • Подходит для различных приложений, требующих регулирования напряжения или тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Преобразование напряжений
    • Драйверы двигателей
    • Цифровые системы управления
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NDT452AP

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    690 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta)
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA

Техническая документация

 NDT452AP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STB200NF03T4MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    640Кешбэк 96 баллов
    IRFH8321TRPBFMOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
    88Кешбэк 13 баллов
    2SK2103T100MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
    216Кешбэк 32 балла
    FQP9N90CMOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
    942Кешбэк 141 балл
    NVB6411ANT4GMOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
    366Кешбэк 54 балла
    FDP2572Транзистор: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
    574Кешбэк 86 баллов
    BUK7Y38-100EXMOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
    233Кешбэк 34 балла
    DMP2007UFG-7MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
    261Кешбэк 39 баллов
    FDS4435AMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    205Кешбэк 30 баллов
    STP80NF55-06MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    DMP3010LPSQ-13MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
    218Кешбэк 32 балла
    IRF820STRRPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    486Кешбэк 72 балла
    FDD3672MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
    372Кешбэк 55 баллов
    2V7002KT1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
    23.2Кешбэк 3 балла
    STB4NK60ZT4Диод: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
    490Кешбэк 73 балла
    FDN306PMOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
    41Кешбэк 6 баллов
    STB45N40DM2AGMOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
    1 466Кешбэк 219 баллов
    STB100N10F7MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
    572Кешбэк 85 баллов
    STB60NF06T4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    208Кешбэк 31 балл
    IRF8010STRLPBFMOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    BSS214NWH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
    35Кешбэк 5 баллов
    STB120N4F6MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    486Кешбэк 72 балла
    IPD90N10S406ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    467Кешбэк 70 баллов
    TP2640LG-GMOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
    467Кешбэк 70 баллов
    IRF6724MTRPBFMOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
    330Кешбэк 49 баллов
    FDS8896Транзистор: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
    223Кешбэк 33 балла
    APT14F100BТранзистор: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
    1 342Кешбэк 201 балл
    NTMFS5C456NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    156Кешбэк 23 балла
    SI4842BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
    522Кешбэк 78 баллов
    BFL4036-1EMOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS
    312Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП