Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Loading...
;
Loading...

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    NE3515S02-T1C-A
  • Описание:
    Транзистор: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02Все характеристики

Минимальная цена NE3515S02-T1C-A при покупке от 2000 шт 388 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NE3515S02-T1C-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NE3515S02-T1C-A

  • Тип транзистора
    HFET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    12.5dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    88mA
  • Уровень шума
    0.3dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-Micro-X
  • Исполнение корпуса
    4-Micro-X
  • В избранное
  • В сравнение
  • 24000 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 2000
    388 ₽
  • 8000
    311 ₽

Минимально и кратно 2000 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    NE3515S02-T1C-A
  • Описание:
    Транзистор: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02Все характеристики

Минимальная цена NE3515S02-T1C-A при покупке от 2000 шт 388 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NE3515S02-T1C-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NE3515S02-T1C-A

  • Тип транзистора
    HFET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    12.5dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    88mA
  • Уровень шума
    0.3dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-Micro-X
  • Исполнение корпуса
    4-Micro-X
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП