Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 282 ₽/шт, купить NE3515S02-T1C-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ
2000 шт. в упаковке • 0 ₽ за шт.

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка

Характеристики

  • Тип транзистора
    HFET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    12.5dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    88mA
  • Уровень шума
    0.3dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-Micro-X
  • Исполнение корпуса
    4-Micro-X

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

NE3515S02-T1C-A CEL Транзистор:

  • FET RF HFET 12GHz 2V 10mA S02

Основные параметры:

  • FET RF HFET — полупроводниковый резонансный транзистор высокочастотного диапазона.
  • 12GHz — рабочая частота.
  • 2V — напряжение срабатывания.
  • 10mA — ток прямого тока.
  • S02 — серия или тип устройства.

Плюсы:

  • Высокая рабочая частота до 12ГГц.
  • Устойчивость к шумам и помехам.
  • Малый размер и тяжеловесность.
  • Низкий уровень тока потребления.

Минусы:

  • Высокие требования к условиям эксплуатации.
  • Сложность в подключении и настройке.
  • Высокая стоимость.

Общее назначение:

  • Используется в радиоэлектронных приборах.
  • Спектроанализаторах.
  • Радарах.
  • В системах связи.

Применяется в:

  • Системах передачи и приема сигналов.
  • Детекторах и модуляторах.
  • Фильтрах.
  • Коммуникационных устройствах.
2000 шт. в упаковке • 0 ₽ за шт.