NGTB15N120FLWG

NGTB15N120FLWG от ON Semiconductor

• Тип: Модернизированный MOSFET с полупроводниковым каналом N-channel.
• Номинальное напряжение: 120 В.
• Максимальная непрерывная токовая нагрузка: 15 А.
• Максимальный динамический токовый коэффициент (RDS(ON)): 3.6 Ω.
• Максимальная частота переключения: 200 кГц.

• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме ON.
• Устойчивость к перенапряжению.
• Малый размер и легкий вес.
• Высокая надежность и долговечность.

• Минусы:
• Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного охлаждения.
• Требует правильного управления для предотвращения повреждений.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, требующих высокую проводимость и управляемого переключения, таких как:

• Источники питания.
• Блоки питания для ноутбуков и компьютеров.
• Автомобильные системы.
• Промышленное оборудование.