Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG
;
NGTB30N65IHL2WG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NGTB30N65IHL2WG при покупке от 30 шт 737.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NGTB30N65IHL2WG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG onsemi Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VCEO): 650 В
    • Рейтингная токовая способность (ITO): 60 А
    • Тип: IGBT TRENCH/FS
    • Конструкция корпуса: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
    • Малый размер и легкость по сравнению с аналогичными транзисторами
    • Улучшенное распределение тепла благодаря конструкции TRENCH/FS
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными IGBT моделями
    • Требуется более сложное проектирование и производство
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных и бытовых электроприборах
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в источниках питания для компьютеров и серверов
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
Выбрано: Показать

Характеристики NGTB30N65IHL2WG

Техническая документация

NGTB30N65IHL2WG.pdf
pdf. 0 kb
  • 1899 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 30 шт
  • Количество
    Цена
  • 30
    737 ₽
  • 77
    723 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NGTB30N65IHL2WG при покупке от 30 шт 737.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NGTB30N65IHL2WG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG onsemi Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VCEO): 650 В
    • Рейтингная токовая способность (ITO): 60 А
    • Тип: IGBT TRENCH/FS
    • Конструкция корпуса: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
    • Малый размер и легкость по сравнению с аналогичными транзисторами
    • Улучшенное распределение тепла благодаря конструкции TRENCH/FS
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными IGBT моделями
    • Требуется более сложное проектирование и производство
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных и бытовых электроприборах
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в источниках питания для компьютеров и серверов
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
Выбрано: Показать

Характеристики NGTB30N65IHL2WG

Техническая документация

NGTB30N65IHL2WG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 30 шт