NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G от ON Semiconductor — это:

• Мощный полупроводниковый транзистор типа MOSFET
• Используется для управления электрическим током
• Подходит для высоковольтных приложений

Основные параметры:

• Vds(max): 600 В
• Ic(max): 12 А
• Rds(on): 0,038 Ω (при Igs = 40 mA)
• Qg(max): 57 nC
• Tj(max): 175 °C

Плюсы:

• Высокая мощность
• Низкий коэффициент сопротивления в режиме провода
• Малое энергетическое затратное время
• Стабильная работа при больших температурах

Минусы:

• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Необходимо соблюдать правила работы с высокими напряжениями
• Уязвимость к электромагнитным помехам без соответствующей защиты

Общее назначение:

• Контроль и управление током в высоковольтных системах
• Применяется в промышленном оборудовании
• Используется в системах питания
• Входит в состав инверторов и преобразователей напряжения

Применяется в:

• Промышленном оборудовании
• Автомобильной технике
• Системах питания
• Инверторах и преобразователях напряжения