Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
NHDTA123JTR
  • В избранное
  • В сравнение
NHDTA123JTR

NHDTA123JTR

NHDTA123JTR
;
NHDTA123JTR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    NHDTA123JTR
  • Описание:
    Транзистор: NHDTA123JT/SOT23/TO-236ABВсе характеристики

Минимальная цена NHDTA123JTR при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NHDTA123JTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NHDTA123JTR

Название и описание:

  • Маркировка: NHDTA123JTR

  • Производитель: Nexperia

  • Тип: Транзистор

  • Форм-факторы: SOT23, TO-236AB

Основные параметры:

  • VCEO: 120 В

  • ICM: 1 А

  • VGS(th): 4 В (максимальное значение)

  • RDS(on) (VGS=10 В): 27 мО (SOT23), 58 мО (TO-236AB)

Плюсы:

  • Высокая мощность при работе с высоким напряжением

  • Низкий коэффициент напряжения включенного состояния (RDS(on))

  • Устойчивость к перенапряжению

  • Малый размер корпусов SOT23 и TO-236AB для компактного размещения

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальных значениях мощности

  • Уязвимость к электрическим шумам без дополнительной защиты

Общее назначение:

  • Использование в электронных цепях управления для регулирования напряжения и тока

  • Применение в силовых преобразователях и источниках питания

  • Работа в системах управления двигателей и приводов

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления

  • Электроприборы

  • Системы управления промышленными оборудованием

  • Беспроводные устройства

  • Компьютеры и серверы

Выбрано: Показать

Характеристики NHDTA123JTR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Трансформация частоты
    150 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    NHDTA123

Техническая документация

 NHDTA123JTR.pdf
pdf. 0 kb
  • 7494 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 ₽
  • 50
    22 ₽
  • 500
    10.3 ₽
  • 3000
    7.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    NHDTA123JTR
  • Описание:
    Транзистор: NHDTA123JT/SOT23/TO-236ABВсе характеристики

Минимальная цена NHDTA123JTR при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NHDTA123JTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NHDTA123JTR

Название и описание:

  • Маркировка: NHDTA123JTR

  • Производитель: Nexperia

  • Тип: Транзистор

  • Форм-факторы: SOT23, TO-236AB

Основные параметры:

  • VCEO: 120 В

  • ICM: 1 А

  • VGS(th): 4 В (максимальное значение)

  • RDS(on) (VGS=10 В): 27 мО (SOT23), 58 мО (TO-236AB)

Плюсы:

  • Высокая мощность при работе с высоким напряжением

  • Низкий коэффициент напряжения включенного состояния (RDS(on))

  • Устойчивость к перенапряжению

  • Малый размер корпусов SOT23 и TO-236AB для компактного размещения

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальных значениях мощности

  • Уязвимость к электрическим шумам без дополнительной защиты

Общее назначение:

  • Использование в электронных цепях управления для регулирования напряжения и тока

  • Применение в силовых преобразователях и источниках питания

  • Работа в системах управления двигателей и приводов

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления

  • Электроприборы

  • Системы управления промышленными оборудованием

  • Беспроводные устройства

  • Компьютеры и серверы

Выбрано: Показать

Характеристики NHDTA123JTR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Трансформация частоты
    150 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    NHDTA123

Техническая документация

 NHDTA123JTR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC143EUA-TPТранзистор: NPN DIGITAL TRANSISTORSSOT-323
    44Кешбэк 6 баллов
    RN2406,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN2404,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN2102MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1418,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1303,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1101MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1417,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1407,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    32Кешбэк 4 балла
    RN2106,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2105,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN1104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2109,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN1116,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2106MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2401,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1405,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1304,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN1102MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
    51Кешбэк 7 баллов
    RN1101MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
    51Кешбэк 7 баллов
    RN1104,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
    55Кешбэк 8 баллов
    RN2102,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
    55Кешбэк 8 баллов
    RN1107,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
    57Кешбэк 8 баллов
    RN1101,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
    57Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП