Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
NHDTC114ETR
  • В избранное
  • В сравнение
NHDTC114ETR

NHDTC114ETR

NHDTC114ETR
;
NHDTC114ETR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    NHDTC114ETR
  • Описание:
    Транзистор: NHDTC114ET/SOT23/TO-236ABВсе характеристики

Минимальная цена NHDTC114ETR при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NHDTC114ETR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NHDTC114ETR

Размеры и тип:

  • Маркировка: NHDTC114ETR
  • Производитель: Nexperia
  • Тип: Транзистор N-канальный полевого типа

Физические характеристики:

  • Пакеты: SOT23, TO-236AB

Основные параметры:

  • Vds(max): 40 В
  • Vgs(th): 2.5 В
  • Rds(on) max @ Vgs = 10 В: 0.17 Ω
  • Ig(max): 1.5 μA
  • Qg(max): 0.9 nC

Плюсы:

  • Низкое сопротивление: Низкое значение Rds(on) обеспечивает эффективное управление током.
  • Малый ток стоячего заряда: Малое значение Qg позволяет снизить энергопотребление.
  • Малая токовая затяжка: Низкий Ig снижает утечки тока.
  • Устойчивость к перенапряжению: Высокий Vds(max) обеспечивает надежность при работе с высоким напряжением.

Минусы:

  • Высокая стоимость: По сравнению с традиционными транзисторами.
  • Ограниченная тепловая мощность: Транзисторы с низким Rds(on) могут перегреваться при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Привод моторов
  • Изоляция сигналов
  • Изменение уровня сигнала

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Медицинское оборудование
  • Электронные устройства для потребителей
  • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики NHDTC114ETR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Трансформация частоты
    170 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    NHDTC114

Техническая документация

 NHDTC114ETR.pdf
pdf. 0 kb
  • 6433 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 ₽
  • 50
    22 ₽
  • 500
    10.3 ₽
  • 3000
    8.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    NHDTC114ETR
  • Описание:
    Транзистор: NHDTC114ET/SOT23/TO-236ABВсе характеристики

Минимальная цена NHDTC114ETR при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NHDTC114ETR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NHDTC114ETR

Размеры и тип:

  • Маркировка: NHDTC114ETR
  • Производитель: Nexperia
  • Тип: Транзистор N-канальный полевого типа

Физические характеристики:

  • Пакеты: SOT23, TO-236AB

Основные параметры:

  • Vds(max): 40 В
  • Vgs(th): 2.5 В
  • Rds(on) max @ Vgs = 10 В: 0.17 Ω
  • Ig(max): 1.5 μA
  • Qg(max): 0.9 nC

Плюсы:

  • Низкое сопротивление: Низкое значение Rds(on) обеспечивает эффективное управление током.
  • Малый ток стоячего заряда: Малое значение Qg позволяет снизить энергопотребление.
  • Малая токовая затяжка: Низкий Ig снижает утечки тока.
  • Устойчивость к перенапряжению: Высокий Vds(max) обеспечивает надежность при работе с высоким напряжением.

Минусы:

  • Высокая стоимость: По сравнению с традиционными транзисторами.
  • Ограниченная тепловая мощность: Транзисторы с низким Rds(on) могут перегреваться при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Привод моторов
  • Изоляция сигналов
  • Изменение уровня сигнала

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Медицинское оборудование
  • Электронные устройства для потребителей
  • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики NHDTC114ETR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Трансформация частоты
    170 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    NHDTC114

Техническая документация

 NHDTC114ETR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC143EUA-TPТранзистор: NPN DIGITAL TRANSISTORSSOT-323
    44Кешбэк 6 баллов
    RN2406,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN2404,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN2102MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1418,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1303,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1101MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1417,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1407,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    32Кешбэк 4 балла
    RN2106,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2105,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN1104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2109,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN1116,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2106MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2401,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1405,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1304,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN1102MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
    51Кешбэк 7 баллов
    RN1101MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
    51Кешбэк 7 баллов
    RN1104,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
    55Кешбэк 8 баллов
    RN2102,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
    55Кешбэк 8 баллов
    RN1107,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
    57Кешбэк 8 баллов
    RN1101,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
    57Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП