NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Renesas Electronics
Артикул:
NP100P06PDG-E1-AY
Описание:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263Все характеристики

Минимальная цена NP100P06PDG-E1-AY при покупке от 1 шт 1185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP100P06PDG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY — это полупроводниковый транзистор от компании Renesas Electronics Corporation, относящийся к типу MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным каналом (P-канальный).

Основные параметры:

Номинальное напряжение (V_DS(on)): 60 В
Номинальный ток (I_D(on)): 100 А
Компактная оболочка: TO263

Плюсы:

Высокая токовая способность (100 А), позволяющая передавать большие электрические потоки.
Устойчивость к напряжениям до 60 В.
Компактный размер оболочки TO263 для эффективного охлаждения.

Минусы:

Требует специального охлаждения из-за высокой мощности.
Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET моделями.

Общее назначение:

Используется в различных приложениях, требующих передачи больших токов, таких как:

Автомобильная электроника (регуляторы напряжения, системы управления двигателем).
Промышленное оборудование (моторные управляющие блоки).
Энергетические системы (преобразователи напряжения).

Техническая документация