Вход/Регистрация
BUK7K13-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
NP50P03YDG-E1-AY
NP50P03YDG-E1-AY
- Производитель:Renesas Electronics
- Артикул:NP50P03YDG-E1-AY
- Описание:MOSFET P-CH 30V 50A 8HSONВсе характеристики
Минимальная цена NP50P03YDG-E1-AY при покупке от 1 шт 614.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP50P03YDG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 2400 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1614 ₽
- 10401 ₽
- 100277 ₽
- 500233 ₽
- 1000223 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Renesas Electronics
- Артикул:NP50P03YDG-E1-AY
- Описание:MOSFET P-CH 30V 50A 8HSONВсе характеристики
Минимальная цена NP50P03YDG-E1-AY при покупке от 1 шт 614.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP50P03YDG-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание NP50P03YDG-E1-AY
NP50P03YDG-E1-AY — это полупроводниковый транзистор с полупроводниковым окном (MOSFET) от компании Renesas Electronics Corporation. Основные характеристики:
- Тип: P-канальный MOSFET
- Номинальное напряжение: 30 В
- Номинальный ток: 50 А
- Объемная единица: 8HSO-N
Плюсы:
- Высокая проводимость при низком напряжении управления
- Высокая скорость переключения
- Малое тепловыделение
- Устойчивость к электрическим шумам
Минусы:
- Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за возможного высокого тепловыделения при больших токах
- Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перетока
Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется управляемое изменение тока при высоких значениях напряжения и тока. Примеры применения включают:
- Автомобильные системы питания
- Инверторы и преобразователи энергии
- Системы управления двигателем
- Смарт-устройства и электроника
Выбрано: Показать
Характеристики NP50P03YDG-E1-AY
Техническая документация
NP50P03YDG-E1-AY.pdf pdf. 0 kb
