Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NP75N055YUK-E1-AY
  • В избранное
  • В сравнение
NP75N055YUK-E1-AY

NP75N055YUK-E1-AY

NP75N055YUK-E1-AY
;
NP75N055YUK-E1-AY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    NP75N055YUK-E1-AY
  • Описание:
    POWER TRS2Все характеристики

Минимальная цена NP75N055YUK-E1-AY при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP75N055YUK-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP75N055YUK-E1-AY

NP75N055YUK-E1-AY — это полупроводниковый транзистор из семейства SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. POWER TRS2 серия таких транзисторов предназначена для использования в высокопроизводительных системах питания.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение вдоль канала (VDS(on)) — 750 В
    • Размеры: E-Пакет (E-Case)
    • Материал.semiconductor — SiC
    • Тип транзистора — MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
    • Малые потери энергии при работе
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Стабильная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимо соблюдать особые требования к проектированию и охлаждению
    • Меньше доступных стандартных пакетов по сравнению с традиционными MOSFET
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания высокой мощности
    • Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем)
    • Промышленное оборудование (например, инверторы)
    • Системы хранения энергии (например, солнечные батареи)
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы управления двигателем, зарядные устройства)
    • Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи)
    • Энергосберегающие системы (солнечные батареи, аккумуляторные системы)
Выбрано: Показать

Характеристики NP75N055YUK-E1-AY

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 38A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    83 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta), 138W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HSON (5x5.4)
  • Корпус
    8-PowerLDFN

Техническая документация

 NP75N055YUK-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb
  • 4999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    574 ₽
  • 10
    373 ₽
  • 100
    258 ₽
  • 500
    217 ₽
  • 2500
    177 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    NP75N055YUK-E1-AY
  • Описание:
    POWER TRS2Все характеристики

Минимальная цена NP75N055YUK-E1-AY при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NP75N055YUK-E1-AY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NP75N055YUK-E1-AY

NP75N055YUK-E1-AY — это полупроводниковый транзистор из семейства SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. POWER TRS2 серия таких транзисторов предназначена для использования в высокопроизводительных системах питания.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение вдоль канала (VDS(on)) — 750 В
    • Размеры: E-Пакет (E-Case)
    • Материал.semiconductor — SiC
    • Тип транзистора — MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
    • Малые потери энергии при работе
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Стабильная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимо соблюдать особые требования к проектированию и охлаждению
    • Меньше доступных стандартных пакетов по сравнению с традиционными MOSFET
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания высокой мощности
    • Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем)
    • Промышленное оборудование (например, инверторы)
    • Системы хранения энергии (например, солнечные батареи)
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы управления двигателем, зарядные устройства)
    • Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи)
    • Энергосберегающие системы (солнечные батареи, аккумуляторные системы)
Выбрано: Показать

Характеристики NP75N055YUK-E1-AY

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 38A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    83 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta), 138W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HSON (5x5.4)
  • Корпус
    8-PowerLDFN

Техническая документация

 NP75N055YUK-E1-AY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП