Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
NPT25015D
NPT25015D

NPT25015D

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    NPT25015D
  • Описание:
    Транзистор: HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена NPT25015D при покупке от 1 шт 13015.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NPT25015D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NPT25015D

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 3GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    5A
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    100 V
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    NPT25015
Техническая документация
 NPT25015D.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 176 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 015 ₽
  • 10
    10 779 ₽
  • 95
    9 626 ₽
  • 190
    9 395 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    NPT25015D
  • Описание:
    Транзистор: HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена NPT25015D при покупке от 1 шт 13015.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NPT25015D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NPT25015D

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 3GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    5A
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    100 V
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    NPT25015
Техническая документация
 NPT25015D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SD2933WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    26 101Кешбэк 3 915 баллов
    MRF6S20010GNR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
    9 546Кешбэк 1 431 балл
    BLF647P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
    42 728Кешбэк 6 409 баллов
    SD57045Транзистор: FET RF 65V 945MHZ M243
    19 397Кешбэк 2 909 баллов
    MRF6S27050HR5Транзистор: RF 2.62GHZ, NI-780, MOSFET
    11 015Кешбэк 1 652 балла
    BLF644PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
    35 339Кешбэк 5 300 баллов
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    13 560Кешбэк 2 034 балла
    PD57018TR-EТранзистор: TRANSISTOR RF POWERSO-10
    6 135Кешбэк 920 баллов
    CGHV35400FТранзистор: RF MOSFET HEMT 45V 440210
    238 792Кешбэк 35 818 баллов
    BLF8G24LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    12 485Кешбэк 1 872 балла
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    5 716Кешбэк 857 баллов
    BLL8H0514L-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    24 414Кешбэк 3 662 балла
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    170 164Кешбэк 25 524 балла
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 583Кешбэк 2 337 баллов
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 999Кешбэк 2 249 баллов
    BLP8G27-10ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
    1 635Кешбэк 245 баллов
    PD55003L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    1 477Кешбэк 221 балл
    BLF7G20LS-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    15 614Кешбэк 2 342 балла
    MRF6S20010NR1Транзистор: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
    6 730Кешбэк 1 009 баллов
    BLF8G27LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    14 984Кешбэк 2 247 баллов
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    617Кешбэк 92 балла
    BLA1011-2,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
    15 731Кешбэк 2 359 баллов
    STAC2932FТранзистор: TRANS RF PWR N-CH STAC244F
    16 612Кешбэк 2 491 балл
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    49 503Кешбэк 7 425 баллов
    BLF574XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
    48 702Кешбэк 7 305 баллов
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    25 976Кешбэк 3 896 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    17 100Кешбэк 2 565 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    16 595Кешбэк 2 489 баллов
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 649Кешбэк 2 197 баллов
    BLF573,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    34 364Кешбэк 5 154 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП