Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
NSBA114YDXV6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G
;
NSBA114YDXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBA114YDXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSBA114YDXV6T1G при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA114YDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый (2PNP)
    • Номинальное напряжение на разрыв: 50В
    • Тип пакета: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря стабильной работе при больших температурных колебаниях
    • Устойчивость к помехам
    • Малый размер и легкость монтажа
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с большими транзисторами
    • Ограниченная тепловая conductance
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительном байасе для усилителей сигнала
    • Регулировка напряжения и тока
    • Обработка и преобразование сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоусилители
    • Системы управления
    • Мобильные устройства
    • Иllumination systems
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA114YDXV6T1G

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSBA114

Техническая документация

 NSBA114YDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2307 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    68 ₽
  • 100
    26.6 ₽
  • 1000
    17.3 ₽
  • 4000
    12.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBA114YDXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSBA114YDXV6T1G при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA114YDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый (2PNP)
    • Номинальное напряжение на разрыв: 50В
    • Тип пакета: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря стабильной работе при больших температурных колебаниях
    • Устойчивость к помехам
    • Малый размер и легкость монтажа
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с большими транзисторами
    • Ограниченная тепловая conductance
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительном байасе для усилителей сигнала
    • Регулировка напряжения и тока
    • Обработка и преобразование сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоусилители
    • Системы управления
    • Мобильные устройства
    • Иllumination systems
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA114YDXV6T1G

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSBA114

Техническая документация

 NSBA114YDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSBC114TPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    17Кешбэк 2 балла
    NSBA114TDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    17Кешбэк 2 балла
    NSBC143ZDXV6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    17Кешбэк 2 балла
    NSBA143TDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    17Кешбэк 2 балла
    EMA6DXV5T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    17.2Кешбэк 2 балла
    NSBC123JDXV6T5TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    19Кешбэк 2 балла
    NSBC143TPDXV6T1Транзистор
    19Кешбэк 2 балла
    NSBC114YDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    19Кешбэк 2 балла
    NSBC123TDP6T5GTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    19Кешбэк 2 балла
    MUN5137DW1T1Транзистор
    19Кешбэк 2 балла
    NSBC144EDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    22.8Кешбэк 3 балла
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    24.5Кешбэк 3 балла
    MUN5235DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    25.7Кешбэк 3 балла
    SMUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88
    27.5Кешбэк 4 балла
    NSBA143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    30.4Кешбэк 4 балла
    MUN5236DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    32Кешбэк 4 балла
    UMA6NT1Транзистор
    32Кешбэк 4 балла
    SMUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    32Кешбэк 4 балла
    MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    40Кешбэк 6 баллов
    SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    45.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    45.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    45.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    45.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    45.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    45.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    45.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП