Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - ВЧ
NSDP301MX2WT5G
  • В избранное
  • В сравнение
NSDP301MX2WT5G

NSDP301MX2WT5G

NSDP301MX2WT5G
;
NSDP301MX2WT5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSDP301MX2WT5G
  • Описание:
    SINGLE PIN DIODE FOR ATTEВсе характеристики

Минимальная цена NSDP301MX2WT5G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSDP301MX2WT5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSDP301MX2WT5G

NSDP301MX2WT5G от On Semiconductor — однопиновый диод для ATTE

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VRRM) — 300 В
    • Напряжение срабатывания (VF) — 1.2 В
    • Рейтингная токовая способность (IRM) — 1 А
    • Температурный коэффициент напряжения срабатывания (TC) — -2 мВ/°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с низкими токами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких рабочих температурах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Передача сигналов в цифровых схемах
    • Изоляция блоков питания
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Системы управления электропитанием
    • Цифровые радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики NSDP301MX2WT5G

  • Обратное Напряжение (Макс)
    80V
  • Максимальный ток
    100 mA
  • Емкость @ Vr, F
    0.33pF @ 0V, 1MHz
  • Сопротивление @ If, F
    1.3Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    2-XDFN
  • Исполнение корпуса
    2-X2DFNW (1x0.6)

Техническая документация

 NSDP301MX2WT5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4821 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    38 ₽
  • 1000
    19.6 ₽
  • 8000
    16.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSDP301MX2WT5G
  • Описание:
    SINGLE PIN DIODE FOR ATTEВсе характеристики

Минимальная цена NSDP301MX2WT5G при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSDP301MX2WT5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSDP301MX2WT5G

NSDP301MX2WT5G от On Semiconductor — однопиновый диод для ATTE

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VRRM) — 300 В
    • Напряжение срабатывания (VF) — 1.2 В
    • Рейтингная токовая способность (IRM) — 1 А
    • Температурный коэффициент напряжения срабатывания (TC) — -2 мВ/°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с низкими токами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких рабочих температурах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Передача сигналов в цифровых схемах
    • Изоляция блоков питания
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Системы управления электропитанием
    • Цифровые радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики NSDP301MX2WT5G

  • Обратное Напряжение (Макс)
    80V
  • Максимальный ток
    100 mA
  • Емкость @ Vr, F
    0.33pF @ 0V, 1MHz
  • Сопротивление @ If, F
    1.3Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    2-XDFN
  • Исполнение корпуса
    2-X2DFNW (1x0.6)

Техническая документация

 NSDP301MX2WT5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MA4P7447-1141TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    344Кешбэк 51 балл
    MA4P7437-1141TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    344Кешбэк 51 балл
    MA4E1339A1-1141TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    348Кешбэк 52 балла
    MA4E1340A1-1141TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    348Кешбэк 52 балла
    MA4E20541-1279TSCHOTTKY LEAD-FREE PLASTIC
    348Кешбэк 52 балла
    MA4P7433ST-1146TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    373Кешбэк 55 баллов
    MA4E2054B1-1146TSCHOTTKY LOW BARRIER LEAD FREE P
    377Кешбэк 56 баллов
    MA4E1339B1-1146TSCHOTTKY PLASTIC LEAD-FREE
    377Кешбэк 56 баллов
    MADS-002054-1146DTLEAD-FREE SCHOTTKY, DUAL PLASTIC
    377Кешбэк 56 баллов
    MA4L062-134DIODE,PINLIMITER,CHIP
    558Кешбэк 83 балла
    MA4L031-134DIODE,PIN,CHIP,OXIDE
    622Кешбэк 93 балла
    MA4P7447CA-287TDIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE
    716Кешбэк 107 баллов
    MA4E2501L-1290SCHOTTKY.SURMOUNT,SINGLE,SI
    763Кешбэк 114 баллов
    MA4GP907GAAS,FLIPCHIP,PIN
    764Кешбэк 114 баллов
    MA4E2508M-1112SCHOTTKY,SURMOUNT,ANTI-PAR,MED B
    796Кешбэк 119 баллов
    MA4AGP9075 % ALGAAS FLIP CHIP PIN
    1 035Кешбэк 155 баллов
    MA4L401-134Диод: DIODE,PIN,CHIP,OXI
    1 449Кешбэк 217 баллов
    MA4E2514L-1116HMIC SURMOUNT SCHOTTKY TEE
    1 511Кешбэк 226 баллов
    MSAT-N25DIODE,NIP ATTENUATOR DIODE-PACKA
    2 397Кешбэк 359 баллов
    MEST2G-020-15SWITCH,RF,PIN,2012 PKG
    2 482Кешбэк 372 балла
    MEST2G-010-20COM PIN RF, SWITCH 2012
    2 605Кешбэк 390 баллов
    MLP7100-11LIMITER DIODE,DIE
    2 605Кешбэк 390 баллов
    MSS39-148-B10BCOM SCHOTTKY-BEAMLEAD, B10B
    2 902Кешбэк 435 баллов
    MA4E2037DIODE,SCHOTTKY,BEAM_LEAD,GAAS,OD
    3 608Кешбэк 541 балл
    MSWSHC-040-40DIODE,PIN SWITCH,2615
    3 924Кешбэк 588 баллов
    MA4E2040DIODE,SCHOTTKY,BEAM_LEAD,GAAS,OD
    3 990Кешбэк 598 баллов
    MGS903SCHOTTKY DIODE,GAAS-BEAMLEAD,GB3
    5 349Кешбэк 802 балла
    MA4P504-30DIODE,PIN,CERAMIC_PKG,SI
    5 554Кешбэк 833 балла
    MA4P4006B-402DIODE,PIN,CERAMIC,AXIAL,HI-PAX
    7 658Кешбэк 1 148 баллов
    MA47047-54DIODE,PIN,GLASS,AXIAL,HI_VOLUME
    8 536Кешбэк 1 280 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП