Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
NSS1C200MZ4T3G
  • В избранное
  • В сравнение
NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4T3G
;
NSS1C200MZ4T3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSS1C200MZ4T3G
  • Описание:
    TRANS PNP 100V 2A SOT223Все характеристики

Минимальная цена NSS1C200MZ4T3G при покупке от 1 шт 170.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSS1C200MZ4T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4T3G onsemi TRANS PNP 100В 2А SOT223

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 100В
    • Номинальный ток коллектора: 2А
    • Пакет: SOT223
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокое сопротивление обратной связи
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер пакета для высокой мощности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами других производителей
    • Требуется дополнительная теплоотводная система для высоких мощностей
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSS1C200MZ4T3G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    220mV @ 200mA, 2A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Трансформация частоты
    120MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-223 (TO-261)

Техническая документация

 NSS1C200MZ4T3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4459 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    170 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 4000
    41 ₽
  • 24000
    33 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSS1C200MZ4T3G
  • Описание:
    TRANS PNP 100V 2A SOT223Все характеристики

Минимальная цена NSS1C200MZ4T3G при покупке от 1 шт 170.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSS1C200MZ4T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4T3G onsemi TRANS PNP 100В 2А SOT223

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 100В
    • Номинальный ток коллектора: 2А
    • Пакет: SOT223
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокое сопротивление обратной связи
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер пакета для высокой мощности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами других производителей
    • Требуется дополнительная теплоотводная система для высоких мощностей
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NSS1C200MZ4T3G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    220mV @ 200mA, 2A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Трансформация частоты
    120MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-223 (TO-261)

Техническая документация

 NSS1C200MZ4T3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    222Кешбэк 33 балла
    KSA992FBUTRANS PNP 120V 0.05A TO92-3
    59Кешбэк 8 баллов
    NSVT489AMT1GTRANS NPN 30V 2A 6TSOP
    88Кешбэк 13 баллов
    BCP56-10T3GTRANS NPN 80V 1A SOT223
    71Кешбэк 10 баллов
    2SD1623T-TD-ETRANS NPN 50V 2A PCP
    164Кешбэк 24 балла
    NJVMJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    MPS8098RLRATRANS NPN 60V 0.5A TO92
    14Кешбэк 2 балла
    BC817-16LT3GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    24.3Кешбэк 3 балла
    NSV60601MZ4T3GTRANS NPN 60V 6A SOT223
    185Кешбэк 27 баллов
    2SA2039-HTRANS PNP 50V 5A TP
    91Кешбэк 13 баллов
    NSS1C200MZ4T3GTRANS PNP 100V 2A SOT223
    170Кешбэк 25 баллов
    MJE18002TRANS NPN 450V 2A TO220
    80Кешбэк 12 баллов
    2SB1201S-TL-ETRANS PNP 50V 2A TP-FA
    282Кешбэк 42 балла
    MPSW05GTRANS NPN 60V 0.5A TO92
    28Кешбэк 4 балла
    NSVMMBT6520LT1GTRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
    133Кешбэк 19 баллов
    MJD45H11RLGTRANS PNP 80V 8A DPAK
    286Кешбэк 42 балла
    SBC856BWT1GTRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
    30Кешбэк 4 балла
    D45C12TRANS PNP 80V 4A TO220
    71Кешбэк 10 баллов
    PZT2907AT3GTRANS PNP 60V 0.6A SOT223
    127Кешбэк 19 баллов
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    NSS20200LT1GTRANS PNP 20V 2A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    MSB92ASWT1GTRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
    47Кешбэк 7 баллов
    BCP69Транзистор: TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4
    24.3Кешбэк 3 балла
    SMMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    NJV4030PT3GTRANS PNP 40V 3A SOT223
    159Кешбэк 23 балла
    NSV12100XV6T1GTRANS PNP 12V 1A SOT563
    146Кешбэк 21 балл
    NST846BF3T5GТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT1123
    56Кешбэк 8 баллов
    NSVMMBT6429LT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
    58Кешбэк 8 баллов
    2SB1143TTRANS PNP 50V 4A TO126ML
    95Кешбэк 14 баллов
    SPZT2907AT1GTRANS PNP 60V 0.6A SOT223
    134Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП