Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
NSV1C301ET4G
  • В избранное
  • В сравнение
NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G
;
NSV1C301ET4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSV1C301ET4G
  • Описание:
    TRANS NPN 100V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NSV1C301ET4G при покупке от 1 шт 244.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSV1C301ET4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G onsemi TRANS NPN 100V 3A DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Максимальное напряжение (VCEO): 100В
    • Максимальный ток (IC): 3А
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Высокий коэффициент усиления
    • Удобство монтажа благодаря DPAK форм-фактору
  • Минусы:
    • Меньше используется в современных высокочастотных приложениях из-за более низкого скоростного режима
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Изменение уровня сигнала
    • Контроль электрических цепей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для управления мощностью
    • Системах защиты от перенапряжений
    • Промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики NSV1C301ET4G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    2.1 W
  • Трансформация частоты
    120MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NSV1C301

Техническая документация

 NSV1C301ET4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3451 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    244 ₽
  • 10
    153 ₽
  • 500
    78 ₽
  • 2500
    63 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSV1C301ET4G
  • Описание:
    TRANS NPN 100V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NSV1C301ET4G при покупке от 1 шт 244.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSV1C301ET4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G onsemi TRANS NPN 100V 3A DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Максимальное напряжение (VCEO): 100В
    • Максимальный ток (IC): 3А
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Высокий коэффициент усиления
    • Удобство монтажа благодаря DPAK форм-фактору
  • Минусы:
    • Меньше используется в современных высокочастотных приложениях из-за более низкого скоростного режима
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Изменение уровня сигнала
    • Контроль электрических цепей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для управления мощностью
    • Системах защиты от перенапряжений
    • Промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики NSV1C301ET4G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    2.1 W
  • Трансформация частоты
    120MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    NSV1C301

Техническая документация

 NSV1C301ET4G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJE180STUTRANS NPN 40V 3A TO126-3
    228Кешбэк 34 балла
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    KSE13003H1ASTUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD148T4GTRANS NPN 45V 4A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    BD13516SТранзистор: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD44H11-1GTRANS NPN 80V 8A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    FSB619TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    238Кешбэк 35 баллов
    BD787GTRANS NPN 60V 4A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    BD135GTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    2SC3649S-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    238Кешбэк 35 баллов
    2SA2126-TL-ETRANS PNP 50V 3A TP-FA
    238Кешбэк 35 баллов
    KSD882YSTUТранзистор: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
    239Кешбэк 35 баллов
    MJD41CT4GТранзистор: TRANS NPN 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    BD135TGTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    240Кешбэк 36 баллов
    MJE182GТранзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126
    241Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NSV1C301ET4GTRANS NPN 100V 3A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    BD17510STUTRANS NPN 45V 3A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP110GTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
    244Кешбэк 36 баллов
    FJE3303H1TUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP50GTRANS NPN 400V 1A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    2N6488GTRANS NPN 80V 15A TO220
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП