Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G
;
NSVBC114EDXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSVBC114EDXV6T1G при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC114EDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN биполярный транзистор
    • Монтаж: SOT563
    • Напряжение барьера: 30 В
    • Предел прямого тока базы: 100 мА
    • Максимальная мощность: 200 мВт
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к износу и повреждению
    • Надежность при работе в различных условиях
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного биаса для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Импульсные преобразователи
    • Фильтры
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные усилители
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC114EDXV6T1G

Техническая документация

NSVBC114EDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1394 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    28 ₽
  • 1000
    18.3 ₽
  • 4000
    13.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSVBC114EDXV6T1G при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC114EDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN биполярный транзистор
    • Монтаж: SOT563
    • Напряжение барьера: 30 В
    • Предел прямого тока базы: 100 мА
    • Максимальная мощность: 200 мВт
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к износу и повреждению
    • Надежность при работе в различных условиях
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного биаса для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Импульсные преобразователи
    • Фильтры
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные усилители
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC114EDXV6T1G

Техническая документация

NSVBC114EDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории