Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
NSVBC857BTT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVBC857BTT1G

NSVBC857BTT1G

NSVBC857BTT1G
;
NSVBC857BTT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVBC857BTT1G
  • Описание:
    TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416Все характеристики

Минимальная цена NSVBC857BTT1G при покупке от 1 шт 65.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC857BTT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC857BTT1G

NSVBC857BTT1G onsemi TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 45В
    • Ток срабатывания: 0.1А
    • Компактный размер: SC75, SOT416
  • Плюсы:
    • Компактность и компактная формафактор
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
  • Минусы:
    • Малый ток срабатывания (0.1А)
    • Высокое напряжение срабатывания (45В)
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых электронных устройствах
    • Расширение функциональности микроконтроллеров и микросхем
    • Сигнальное управление другими компонентами
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC857BTT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    45 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    15nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    220 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    NSVBC857

Техническая документация

 NSVBC857BTT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1552 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    65 ₽
  • 100
    25 ₽
  • 1000
    16.4 ₽
  • 6000
    12.3 ₽
  • 15000
    10.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVBC857BTT1G
  • Описание:
    TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416Все характеристики

Минимальная цена NSVBC857BTT1G при покупке от 1 шт 65.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBC857BTT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBC857BTT1G

NSVBC857BTT1G onsemi TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 45В
    • Ток срабатывания: 0.1А
    • Компактный размер: SC75, SOT416
  • Плюсы:
    • Компактность и компактная формафактор
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
  • Минусы:
    • Малый ток срабатывания (0.1А)
    • Высокое напряжение срабатывания (45В)
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых электронных устройствах
    • Расширение функциональности микроконтроллеров и микросхем
    • Сигнальное управление другими компонентами
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBC857BTT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    45 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    15nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    220 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    NSVBC857

Техническая документация

 NSVBC857BTT1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJF15031GТранзистор: TRANS PNP 150V 8A TO220FP
    611Кешбэк 91 балл
    MJE18008GTRANS NPN 450V 8A TO220
    635Кешбэк 95 баллов
    MJF18008GTRANS NPN 450V 8A TO220FP
    657Кешбэк 98 баллов
    TIP147FTUТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PF
    681Кешбэк 102 балла
    TIP36AGTRANS PNP 60V 25A TO247-3
    732Кешбэк 109 баллов
    TIP35CGТранзистор: TRANS NPN 100V 25A TO247-3
    736Кешбэк 110 баллов
    NJW44H11GTRANS NPN 80V 10A TO3P-3L
    748Кешбэк 112 баллов
    BUB323ZT4GTRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
    758Кешбэк 113 баллов
    TIP36CGTRANS PNP 100V 25A TO247-3
    778Кешбэк 116 баллов
    MJB5742T4GTRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
    794Кешбэк 119 баллов
    FJA4310OTUTRANS NPN 140V 10A TO3P
    794Кешбэк 119 баллов
    NJW3281GTRANS NPN 250V 15A TO3P-3L
    925Кешбэк 138 баллов
    TIP35AGTRANS NPN 60V 25A TO247-3
    931Кешбэк 139 баллов
    NJW1302GTRANS PNP 250V 15A TO3P-3L
    933Кешбэк 139 баллов
    MJW3281AGТранзистор: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
    1 024Кешбэк 153 балла
    MJW1302AGTRANS PNP 230V 15A TO247-3
    1 030Кешбэк 154 балла
    MJH6284GTRANS NPN DARL 100V 20A TO247-3
    1 074Кешбэк 161 балл
    MJ2955GТранзистор: TRANS PNP 60V 15A TO204
    1 147Кешбэк 172 балла
    MJH11017GTRANS PNP DARL 150V 15A TO247-3
    1 159Кешбэк 173 балла
    FJA4313OTUTRANS NPN 250V 17A TO3PN
    1 184Кешбэк 177 баллов
    MJL21195GTRANS PNP 250V 16A TO264
    1 193Кешбэк 178 баллов
    MJE4343GТранзистор: TRANS NPN 160V 16A TO247-3
    1 197Кешбэк 179 баллов
    FJL4215OTUTRANS PNP 250V 17A HPM F2
    1 205Кешбэк 180 баллов
    2SC5200OTUТранзистор: TRANS NPN 250V 17A TO264-3
    1 207Кешбэк 181 балл
    MJW21196GTRANS NPN 250V 16A TO247-3
    1 226Кешбэк 183 балла
    MJW21193GTRANS PNP 250V 16A TO247-3
    1 228Кешбэк 184 балла
    MJL21196GTRANS NPN 250V 16A TO264
    1 238Кешбэк 185 баллов
    MJL21194GTRANS NPN 250V 16A TO264
    1 262Кешбэк 189 баллов
    NJL0302DGTRANS PNP 260V 15A TO264
    1 290Кешбэк 193 балла
    NJL1302DGTRANS PNP 260V 15A TO264
    1 314Кешбэк 197 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП