Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
NSVBSS63LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVBSS63LT1G

NSVBSS63LT1G

NSVBSS63LT1G
;
NSVBSS63LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVBSS63LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVBSS63LT1G при покупке от 1 шт 73.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBSS63LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBSS63LT1G

NSVBSS63LT1G onsemi Транзистор: TRANS PNP 100В 0.1А SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
    • Устойчивость к переносу напряжения
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за меньшего размера
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых схемах
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Регулировка тока
  • Применение:
    • Мелкосерийное производство электроники
    • Компактные приборы и устройства
    • Управление мелкими электрическими нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBSS63LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 2.5mA, 25mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 25mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Трансформация частоты
    95MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVBSS63

Техническая документация

 NSVBSS63LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 61 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    73 ₽
  • 100
    28.4 ₽
  • 1000
    18.8 ₽
  • 6000
    14.3 ₽
  • 15000
    12.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVBSS63LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVBSS63LT1G при покупке от 1 шт 73.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVBSS63LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVBSS63LT1G

NSVBSS63LT1G onsemi Транзистор: TRANS PNP 100В 0.1А SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
    • Устойчивость к переносу напряжения
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за меньшего размера
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых схемах
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Регулировка тока
  • Применение:
    • Мелкосерийное производство электроники
    • Компактные приборы и устройства
    • Управление мелкими электрическими нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики NSVBSS63LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 2.5mA, 25mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 25mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Трансформация частоты
    95MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVBSS63

Техническая документация

 NSVBSS63LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVBSS63LT1GТранзистор: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
    73Кешбэк 10 баллов
    NST847BF3T5GTRANS NPN 45V 0.1A SOT1123
    75Кешбэк 11 баллов
    SMMBT3904TT1GTRANS NPN 40V 0.2A SC75 SOT416
    75Кешбэк 11 баллов
    SMMBT5088LT1GТранзистор: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
    75Кешбэк 11 баллов
    MJD117-1GTRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    KSC2328AOTATRANS NPN 30V 2A TO92-3
    77Кешбэк 11 баллов
    2SC3646S-P-TD-ETRANS NPN 100V 1A
    77Кешбэк 11 баллов
    2SB1215S-TL-HTRANS PNP 100V 3A TP-FA
    77Кешбэк 11 баллов
    SMMBT6427LT1GТранзистор: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    SMMBT5089LT1GTRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    2SC6099-ETRANS NPN 100V 2A TP
    77Кешбэк 11 баллов
    NST848BF3T5GTRANS NPN 30V 0.1A SOT1123
    77Кешбэк 11 баллов
    2SC6094-TD-ETRANS NPN 60V 3A PCP
    77Кешбэк 11 баллов
    NSVBCW68GLT1GTRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    2N5195GTRANS PNP 80V 4A TO126
    77Кешбэк 11 баллов
    2SD1816S-HTRANS NPN 100V 4A TP
    79Кешбэк 11 баллов
    2SC4614T-ANTRANS NPN 160V 1.5A 3NMP
    79Кешбэк 11 баллов
    NST857BF3T5GTRANS PNP 45V 0.1A SOT1123
    79Кешбэк 11 баллов
    SMMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    CPH3107-TL-ETRANS PNP 15V 6A 3CPH
    81Кешбэк 12 баллов
    SMMBT3904WT1GTRANS NPN 40V 0.2A SC70-3
    81Кешбэк 12 баллов
    SBCW30LT1GTRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    2SD1048-6-TB-ETRANS NPN 15V 0.7A 3CP
    81Кешбэк 12 баллов
    2SA1770T-ANTRANS PNP 160V 1.5A 3NMP
    83Кешбэк 12 баллов
    MJD127TFTRANS PNP DARL 100V 8A TO252-3
    83Кешбэк 12 баллов
    2SD1801S-ETRANS NPN 50V 2A TP
    83Кешбэк 12 баллов
    2SD1805G-ETRANS NPN 20V 5A TP
    83Кешбэк 12 баллов
    2SA2205-TL-ETRANS PNP 100V 2A TPFA
    83Кешбэк 12 баллов
    MJE18002TRANS NPN 450V 2A TO220
    83Кешбэк 12 баллов
    NJVMJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    83Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП