Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
NSVJ3557SA3T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVJ3557SA3T1G

NSVJ3557SA3T1G

NSVJ3557SA3T1G
;
NSVJ3557SA3T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVJ3557SA3T1G
  • Описание:
    JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3Все характеристики

Минимальная цена NSVJ3557SA3T1G при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ3557SA3T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVJ3557SA3T1G

NSVJ3557SA3T1G от ON Semiconductor — это JFET N-канальный полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на дрене (UDSONS) — 15В
    • Номинальный ток дрене (IDSON) — 50мА
    • Пакет — SC59-3/CP3
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Хорошая стабильность характеристик при изменении температуры
    • Малый размер и легкость интеграции в разные схемы
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Требует дополнительного регулирования напряжения
  • Общее назначение:
    • Изоляционные цепи
    • Регуляторы напряжения
    • Цифровые и аналоговые схемы
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Компьютерах и серверах
    • Автомобилях
    • Производственных системах
Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ3557SA3T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    15 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    15 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    300 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59-3/CP3
  • Base Product Number
    NSVJ3557

Техническая документация

 NSVJ3557SA3T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 13748 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    91 ₽
  • 100
    53 ₽
  • 500
    46 ₽
  • 3000
    34.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVJ3557SA3T1G
  • Описание:
    JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3Все характеристики

Минимальная цена NSVJ3557SA3T1G при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ3557SA3T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVJ3557SA3T1G

NSVJ3557SA3T1G от ON Semiconductor — это JFET N-канальный полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на дрене (UDSONS) — 15В
    • Номинальный ток дрене (IDSON) — 50мА
    • Пакет — SC59-3/CP3
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Хорошая стабильность характеристик при изменении температуры
    • Малый размер и легкость интеграции в разные схемы
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Требует дополнительного регулирования напряжения
  • Общее назначение:
    • Изоляционные цепи
    • Регуляторы напряжения
    • Цифровые и аналоговые схемы
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Компьютерах и серверах
    • Автомобилях
    • Производственных системах
Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ3557SA3T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    15 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    15 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    300 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59-3/CP3
  • Base Product Number
    NSVJ3557

Техническая документация

 NSVJ3557SA3T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    135Кешбэк 20 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    109Кешбэк 16 баллов
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    38Кешбэк 5 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    182Кешбэк 27 баллов
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    76Кешбэк 11 баллов
    MMBFJ305Транзистор: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22.2Кешбэк 3 балла
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    21 495Кешбэк 3 224 балла
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    193Кешбэк 28 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    265Кешбэк 39 баллов
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    IJW120R100T1FKSA1JFET N-CHAN 26A TO247-3
    3 529Кешбэк 529 баллов
    MPF4393JFET N-CH 30V 0.35W TO92
    463Кешбэк 69 баллов
    JANTX2N4857JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    4 224Кешбэк 633 балла
    2SK596S-CТиристор: JFET N-CH 0.1W
    13Кешбэк 1 балл
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    15.7Кешбэк 2 балла
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    31.5Кешбэк 4 балла
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    87Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП