Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NSVMMBT5550LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMMBT5550LT1G

NSVMMBT5550LT1G

NSVMMBT5550LT1G
;
NSVMMBT5550LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBT5550LT1G
  • Описание:
    TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMMBT5550LT1G при покупке от 1 шт 45.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBT5550LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBT5550LT1G

Основные параметры:

  • Маркировка: NSVMMBT5550LT1G

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Тип: TRANS NPN

  • Рейтинг напряжения: 140В

  • Рейтинг тока: 0.6А

  • Форм-фактор: SOT23-3

Плюсы:

  • Малый размер корпуса (SOT23-3)

  • Высокий рейтинг напряжения (140В)

  • Надежность и долговечность

  • Эффективное управление током

Минусы:

  • Низкий ток прямого тока (0.6А)

  • Ограниченная мощность

Общее назначение:

  • Использование в цифровых схемах

  • Управление нагрузками в электронных устройствах

  • Регулирование тока в различных приложениях

Применение в устройствах:

  • Микросхемы управления

  • Драйверы для электроприводов

  • Автоматические выключатели

  • Системы защиты от перегрузки

Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBT5550LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    140 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)

Техническая документация

 NSVMMBT5550LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8061 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    45 ₽
  • 100
    25 ₽
  • 1000
    16.3 ₽
  • 6000
    11.7 ₽
  • 15000
    10.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBT5550LT1G
  • Описание:
    TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMMBT5550LT1G при покупке от 1 шт 45.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBT5550LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBT5550LT1G

Основные параметры:

  • Маркировка: NSVMMBT5550LT1G

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Тип: TRANS NPN

  • Рейтинг напряжения: 140В

  • Рейтинг тока: 0.6А

  • Форм-фактор: SOT23-3

Плюсы:

  • Малый размер корпуса (SOT23-3)

  • Высокий рейтинг напряжения (140В)

  • Надежность и долговечность

  • Эффективное управление током

Минусы:

  • Низкий ток прямого тока (0.6А)

  • Ограниченная мощность

Общее назначение:

  • Использование в цифровых схемах

  • Управление нагрузками в электронных устройствах

  • Регулирование тока в различных приложениях

Применение в устройствах:

  • Микросхемы управления

  • Драйверы для электроприводов

  • Автоматические выключатели

  • Системы защиты от перегрузки

Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBT5550LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    140 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)

Техническая документация

 NSVMMBT5550LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CPH6702-TL-EBIP PNP+SBD 1.5A 15V
    29Кешбэк 4 балла
    BC184RL1SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    29Кешбэк 4 балла
    2N6519RLRASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    29Кешбэк 4 балла
    2SA1708S-YMH-ANTRANS BIPO NMP
    29Кешбэк 4 балла
    2SB926SSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    29Кешбэк 4 балла
    CPH3110-TL-EPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
    33Кешбэк 4 балла
    2SD1619T-TD-ENPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
    33Кешбэк 4 балла
    2SA1624E-AAPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
    33Кешбэк 4 балла
    2SB986TPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    33Кешбэк 4 балла
    2SA1709T-EPN-ANBIP PNP 2A 100V
    39Кешбэк 5 баллов
    SPS9590RLRESS T092 GP XSTR NPN SPCL
    39Кешбэк 5 баллов
    2SA1016KG-AASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    39Кешбэк 5 баллов
    CPH6202-TL-EBIP NPN 1A 50V
    39Кешбэк 5 баллов
    2SD879TRANSISTOR
    39Кешбэк 5 баллов
    2SD863E-AEBIP NPN 1A 50V
    39Кешбэк 5 баллов
    CPH3248-TL-ENPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
    39Кешбэк 5 баллов
    2SC2314ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    41Кешбэк 6 баллов
    NSVBC817-40WT1GTRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
    41Кешбэк 6 баллов
    2SB892S-AEPNP SILICON TRANSISTOR
    41Кешбэк 6 баллов
    CPH3210-TL-ETRANSISTOR FOR SET-UP DC-DC CONV
    45Кешбэк 6 баллов
    CPH3206-TL-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    45Кешбэк 6 баллов
    2SD1682TPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    45Кешбэк 6 баллов
    2SD400E-MPBIP NPN 1A 25V
    45Кешбэк 6 баллов
    NSVMMBT5550LT1GTRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    BUD43BPOWER BIPOLAR TRANSISTOR
    45Кешбэк 6 баллов
    50A02SP-ACPNP SILICON TRANSISTOR
    45Кешбэк 6 баллов
    2SC4519-6-TB-EBIP NPN 0.5A 45V
    51Кешбэк 7 баллов
    2SC3467E-AESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    51Кешбэк 7 баллов
    2SB1126-TD-ETRANSISTOR
    51Кешбэк 7 баллов
    2SD863F-AEBIP NPN 1A 50V
    51Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП