Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
NSVMMBT589LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMMBT589LT1G

NSVMMBT589LT1G

NSVMMBT589LT1G
;
NSVMMBT589LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBT589LT1G
  • Описание:
    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMMBT589LT1G при покупке от 1 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBT589LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBT589LT1G

NSVMMBT589LT1G onsemi TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 1А
    • Пакет: SOT23-3
    • Тип: Транзистор PNP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Низкое сопротивление включения
    • Устойчивость к шумам
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная компонентная база для работы (резисторы, диоды)
    • Ограниченный ток при высоких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка тока
    • Увеличение числа входов в логические цепи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электроника бытовой техники
    • Иllumination systems (системы освещения)
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBT589LT1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    650mV @ 200mA, 2A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    310 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVMMBT589

Техническая документация

 NSVMMBT589LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2614 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    165 ₽
  • 100
    67 ₽
  • 1000
    46 ₽
  • 6000
    36.4 ₽
  • 15000
    33 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBT589LT1G
  • Описание:
    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMMBT589LT1G при покупке от 1 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBT589LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBT589LT1G

NSVMMBT589LT1G onsemi TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 1А
    • Пакет: SOT23-3
    • Тип: Транзистор PNP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Низкое сопротивление включения
    • Устойчивость к шумам
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная компонентная база для работы (резисторы, диоды)
    • Ограниченный ток при высоких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка тока
    • Увеличение числа входов в логические цепи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электроника бытовой техники
    • Иllumination systems (системы освещения)
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBT589LT1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    650mV @ 200mA, 2A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    310 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVMMBT589

Техническая документация

 NSVMMBT589LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSS20500UW3T2GTRANS PNP 20V 5A 3WDFN
    161Кешбэк 24 балла
    NSS1C201MZ4T3GTRANS NPN 100V 2A SOT223
    161Кешбэк 24 балла
    MJE18002GTRANS NPN 450V 2A TO220
    163Кешбэк 24 балла
    2SA2202-TD-ETRANS PNP 100V 2A PCP
    163Кешбэк 24 балла
    NSS60601MZ4T3GTRANS NPN 60V 6A SOT223
    163Кешбэк 24 балла
    NSVMMBT589LT1GTRANS PNP 30V 1A SOT23-3
    165Кешбэк 24 балла
    BD159STUTRANS NPN 350V 0.5A TO126-3
    167Кешбэк 25 баллов
    2SD1623T-TD-ETRANS NPN 50V 2A PCP
    167Кешбэк 25 баллов
    NSS20501UW3T2GTRANS NPN 20V 5A 3WDFN
    167Кешбэк 25 баллов
    NSV60600MZ4T1GTRANS PNP 60V 6A SOT223
    169Кешбэк 25 баллов
    NSS60600MZ4T3GTRANS PNP 60V 6A SOT223
    169Кешбэк 25 баллов
    KSC2690AYSTRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
    169Кешбэк 25 баллов
    NSS20501UW3TBGTRANS NPN 20V 5A 3WDFN
    169Кешбэк 25 баллов
    NST489AMT1GTRANS NPN 30V 2A 6TSOP
    171Кешбэк 25 баллов
    2SC3647S-TD-ETRANS NPN 100V 2A PCP
    171Кешбэк 25 баллов
    NSS1C200MZ4T3GTRANS PNP 100V 2A SOT223
    173Кешбэк 25 баллов
    NJV4031NT1GTRANS NPN 40V 3A SOT223
    173Кешбэк 25 баллов
    NSV1C200MZ4T1GTRANS PNP 100V 2A SOT223
    173Кешбэк 25 баллов
    2SC5566-TD-ETRANS NPN 50V 4A PCP
    173Кешбэк 25 баллов
    NSV1C201MZ4T1GТранзистор: TRANS NPN 100V 2A SOT223
    173Кешбэк 25 баллов
    NJT4031NT1GTRANS NPN 40V 3A SOT223
    174Кешбэк 26 баллов
    2SD1624S-TD-ETRANS NPN 50V 3A PCP
    174Кешбэк 26 баллов
    2SD1623S-TD-ETRANS NPN 50V 2A PCP
    175Кешбэк 26 баллов
    NSS30070MR6T1GTRANS PNP 30V 0.7A SC74
    176Кешбэк 26 баллов
    NSS1C201MZ4T1GTRANS NPN 100V 2A SOT223
    176Кешбэк 26 баллов
    NSS30201MR6T1GTRANS NPN 30V 2A 6TSOP
    178Кешбэк 26 баллов
    MJD112GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    178Кешбэк 26 баллов
    2SB1121T-TD-ETRANS PNP 25V 2A PCP
    180Кешбэк 27 баллов
    2SB1124T-TD-EТранзистор: TRANS PNP 50V 3A PCP
    180Кешбэк 27 баллов
    MJD50TFTRANS NPN 400V 1A DPAK
    182Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторные модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП