Вход/Регистрация
NVMTS1D1N04CTXGT6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
NTBG080N120SC1
NTBG080N120SC1
- Производитель:onsemi
- Артикул:NTBG080N120SC1
- Описание:SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7Все характеристики
Минимальная цена NTBG080N120SC1 при покупке от 1 шт 1932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTBG080N120SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 686 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 11 932 ₽
- 101 590 ₽
- 1001 491 ₽
- 5001 400 ₽
- 8001 261 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:onsemi
- Артикул:NTBG080N120SC1
- Описание:SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7Все характеристики
Минимальная цена NTBG080N120SC1 при покупке от 1 шт 1932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTBG080N120SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание NTBG080N120SC1
Разрешенные ТОЛЬКО теги:
,
- ,
- , .
- Маркировка: NTBG080N120SC1
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание: SICFET N-канальный 1200В 30А D2PAK-7
Основные параметры:
- Номинальное напряжение (VGS(th)): -4V
- Номинальный ток (ID(on)): 30A
- Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200V
- Тип корпуса: D2PAK-7
Плюсы:
- Высокая надежность: Надежность SiC MOSFET позволяет использовать их в сложных условиях.
- Эффективность: Малые потери при прохождении тока делают их эффективными для применения в высоковольтных системах.
- Малый размер: Корпус D2PAK-7 обеспечивает компактность и удобство монтажа.
Минусы:
- Сложность управления: Требуют более сложного управления по сравнению с традиционными MOSFET.
- Цена: Из-за использования SiC могут быть дороже обычных MOSFET.
Общее назначение:
- Применяются в: Системах с высокими напряжениями, где требуется высокая эффективность и надежность.
- Устройства: Солнечные панели, электромобили, инверторы, промышленное оборудование.
Выбрано: Показать
Характеристики NTBG080N120SC1
Техническая документация
NTBG080N120SC1.pdf pdf. 0 kb