Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

NTD4963NT4G

В избранное
В сравнение

NTD4963NT4G

NTD4963NT4G

NTD4963NT4G

;

NTD4963NT4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NTD4963NT4G
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTD4963NT4G при покупке от 204 шт 60.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD4963NT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NTD4963NT4G

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.1A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1035 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
DPAK
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
NTD49

Техническая документация

NTD4963NT4G.pdf

pdf. 0 kb

962 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 204 шт

Количество
Цена
204
60 ₽
636
48 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NTD4963NT4G
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTD4963NT4G при покупке от 204 шт 60.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD4963NT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NTD4963NT4G

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.1A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1035 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
DPAK
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
NTD49

Техническая документация

NTD4963NT4G.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

NTS4001NT1G Транзистор: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3

33Кешбэк 4 балла

2N7002WT1G Транзистор: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

33.4Кешбэк 5 баллов

BSS138LT3G Транзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

33.6Кешбэк 5 баллов

BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

34Кешбэк 5 баллов

NTR5103NT1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

34Кешбэк 5 баллов

NDS7002A MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23

35Кешбэк 5 баллов

BSS123L MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

37Кешбэк 5 баллов

BSS123 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

38Кешбэк 5 баллов

NTR5105PT1G MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3

38Кешбэк 5 баллов

FDV303N MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

39Кешбэк 5 баллов

40Кешбэк 6 баллов

41Кешбэк 6 баллов

NTR4501NT1G MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

41Кешбэк 6 баллов

NTK3139PT1G MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723

42Кешбэк 6 баллов

NDS0610 MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23

43Кешбэк 6 баллов

2V7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

45Кешбэк 6 баллов

NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75

45Кешбэк 6 баллов

MMBF170LT1G MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

46Кешбэк 6 баллов

NTR4502PT1G Транзистор: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3

46Кешбэк 6 баллов

BSS138W MOSFET N-CH 50V 210MA SC70

46Кешбэк 6 баллов

NDS0605 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23

48Кешбэк 7 баллов

NTA4153NT1G MOSFET N-CH 20V 915MA SC75

48Кешбэк 7 баллов

BSS123LT1G Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

49Кешбэк 7 баллов

NTR4101PT1G Транзистор: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

51Кешбэк 7 баллов

FDV305N MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23

56Кешбэк 8 баллов

NTK3142PT1G MOSFET P-CH 20V 215MA SOT723

56Кешбэк 8 баллов

NTR1P02LT1G MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

59Кешбэк 8 баллов

NTR4171PT1G MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

60Кешбэк 9 баллов

NTD4963NT4G MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAK

60Кешбэк 9 баллов

NTS2101PT1G MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3

61Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторные модули

Диоды - ВЧ

Модули драйверов питания

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Одиночные IGBT транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Программируемые однопереходные транзисторы

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Полевые транзисторы - Сборки

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Одиночные триодные тиристоры

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Диоды - мостовые выпрямители

IGBT транзисторы

Диоды выпрямительные - Модули

Модули драйверов питания

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диодные мосты - Модули

Симисторы - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Принадлежности для дискретных полупроводников

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Диодные мосты

Тиристоры - TRIACs

Диоды - выпрямители - одиночные

Высокочастотные диоды

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы специального назначения

Транзисторы - JFET

Транзисторы - программируемые однопереходные

Модули триодных тиристоров

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Сборки биполярных транзисторов

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Тиристоры - SCR

Диоды силовые

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Одиночные биполярные транзисторы

Варикапы и Варакторы

Полевые транзисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Симисторы

Минимально и кратно 204 шт

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали