NTD4979N-35G

NTD4979N-35G

NTD4979N-35G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
NTD4979N-35G
Описание:
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTD4979N-35G при покупке от 615 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD4979N-35G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTD4979N-35G

NTD4979N-35G onsemi MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK

Основные параметры:
- Напряжение смещения: 30В
- Ток проводимости (ID): 9.4А при Uds = 2V
- Максимальный ток проводимости (ID): 41А
- Форм-фактор: IPAK
Плюсы:
- Высокая емкость генератора дрейфа (CGD)
- Высокий коэффициент передачи (Ktp)
- Низкий коэффициент температурной зависимости (Vth)
- Высокая скорость переключения
Минусы:
- Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
- Требует более сложного дизайна платы из-за IPAK-пакета
Общее назначение:
- Применяется в высоковольтных и высокотоковых системах
- Используется в инвертерах и преобразователях напряжения
- Подходит для использования в трансформаторных каскадах
В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы питания
- Промышленные преобразователи
- Системы управления двигателем
- Электроприводы

Техническая документация