NTD5C648NLT4G

Маркировка NTD5C648NLT4G от производителя ONSEMI описывает MOSFET N-канального типа с следующими характеристиками:

• Номинальное напряжение блокировки (V_DS(ON)): 60В
• Номинальная токовая способность (I_D): 22А при температуре 25°C
• Коэффициент силовой затухания (R_DS(on)): 91мΩ
• Форм-фактор: DPAK

Основные преимущества:

• Высокая проводимость при низком напряжении: благодаря низкому коэффициенту силового затухания обеспечивается минимальное энергетическое затухание.
• Высокая надежность: стабильная работа даже при высоких температурах и нагрузках.
• Малый размер: компактный корпус DPAK позволяет использовать его в ограниченном пространстве.

Основные недостатки:

• Температурная зависимость: повышение температуры может привести к увеличению коэффициента силового затухания.
• Ограничения по мощности: не подходит для очень высоких рабочих токов без дополнительного охлаждения.

Общее назначение:

• Регулирующие цепи: используется для управления напряжением в различных электронных устройствах.
• Изоляционные транзисторы: применяются для изоляции сигналов в цифровых системах.
• Питание периферийного оборудования: используется для преобразования и регулирования напряжений в ноутбуках, планшетах и других портативных устройствах.

Применяется в:

• Мобильных устройствах
• Автомобильной электронике
• Электроприборах
• Инверторах
• Устройствах питания