Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
NTE2371
  • В избранное
  • В сравнение
NTE2371

NTE2371

NTE2371
;
NTE2371

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE2371
  • Описание:
    MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220Все характеристики

Минимальная цена NTE2371 при покупке от 1 шт 2049.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE2371 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE2371

NTE2371 NTE Electronics MOSFET P-CHANNEL 100В 19А TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Максимальный ток: 19А
    • Компактный корпус: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент дугового размыкания
    • Устойчивость к обратному току
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Слабая защита от перегрева без дополнительных мер
    • Наличие емкости гейта, требующей учета при проектировании
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление токами в электронных устройствах
    • Изоляция высоковольтных цепей
    • Управление мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Мощные источники питания
    • Блоки управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NTE2371

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    61 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 NTE2371.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 049 ₽
  • 3
    1 843 ₽
  • 10
    1 628 ₽
  • 25
    1 463 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE2371
  • Описание:
    MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220Все характеристики

Минимальная цена NTE2371 при покупке от 1 шт 2049.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE2371 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE2371

NTE2371 NTE Electronics MOSFET P-CHANNEL 100В 19А TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Максимальный ток: 19А
    • Компактный корпус: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент дугового размыкания
    • Устойчивость к обратному току
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Слабая защита от перегрева без дополнительных мер
    • Наличие емкости гейта, требующей учета при проектировании
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление токами в электронных устройствах
    • Изоляция высоковольтных цепей
    • Управление мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Мощные источники питания
    • Блоки управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NTE2371

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    61 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 NTE2371.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE491TMOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237
    1 260Кешбэк 189 баллов
    NTE2371MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
    2 049Кешбэк 307 баллов
    MSC750SMA170STRANS SJT 1700V D3PAK
    1 158Кешбэк 173 балла
    MSC360SMA120SMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
    1 383Кешбэк 207 баллов
    MSC090SMA070SSICFET N-CH 700V D3PAK
    1 414Кешбэк 212 баллов
    MSC180SMA120SMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
    1 435Кешбэк 215 баллов
    MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247
    1 974Кешбэк 296 баллов
    MSC035SMA070BMOSFET N-CH 700V TO247
    1 992Кешбэк 298 баллов
    APT6025BLLGMOSFET N-CH 600V 24A TO247
    2 867Кешбэк 430 баллов
    MSC040SMA120B4SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
    3 040Кешбэк 456 баллов
    MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
    7 609Кешбэк 1 141 балл
    PJC7400_R1_00001SOT-323, MOSFET
    22.8Кешбэк 3 балла
    PJC7407_R1_00001SOT-323, MOSFET
    24.3Кешбэк 3 балла
    PJA3402_R1_00001SOT-23, MOSFET
    25.4Кешбэк 3 балла
    PJE8408_R1_00001SOT-523, MOSFET
    27Кешбэк 4 балла
    PJC7404_R1_00001SOT-323, MOSFET
    29Кешбэк 4 балла
    PJA3433_R1_00001SOT-23, MOSFET
    32.4Кешбэк 4 балла
    BSS123_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    PJA3463_R1_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PJA138K-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET N-CHANNEL
    40Кешбэк 6 баллов
    PJA3441-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJA3434_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов
    PJC7439-AU_R1_000A1SOT-323, MOSFET
    45Кешбэк 6 баллов
    PJE8403_R1_00001SOT-523, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3430_R1_00001SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3432-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3433-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    PJA3403_R1_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    53Кешбэк 7 баллов
    PJA3460_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    PJA3401A_R1_00001SOT-23, MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП